2017年哈尔滨工业大学806半导体物理考研大纲

　　一、考试要求：

　　全面系统地掌握半导体物理的基本概念、基本原理和物理过程，并能够运用理论对实际问题进行分析和计算。

　　二、考试内容：

　　1）能带论

　　a:半导体电子状态和能带

　　b:半导体电子的运动

　　c:本征半导体的导电机构

　　d:硅和锗的能带结构

　　2)杂质半导体理论

　　a:硅和锗晶体中的杂质能级

　　b:缺陷、位错能级

　　3)载流子的统计分布

　　a:状态密度与载流子的统计分布

　　b:本征与杂质半导体的载流子浓度

　　c:一般情况下载流子统计分布

　　d:简并半导体

　　4)半导体的导电性

　　a:载流子的漂移运动与散射运动

　　b:迁移率、电阻率与杂质浓度和温度的关系

　　5)非平衡载流子

　　a:非平衡载流子的注入、复合与寿命

　　b:准费米能级

　　c:复合理论

　　d:陷阱效应

　　e:电流密度方程

　　f:连续性方程

　　6)p-n结理论

　　a:p-n结及其能带图

　　b:p-n结电流电压特性

　　7)金属-半导体接触理论

　　a:金-半接触、能带及整流理论

　　b:欧姆接触

　　8)半导体表面理论

　　a:表面态及表面电场效应

　　b:MIS结构电容-电压特性

　　c:硅-二氧化硅系统的性质

　　d:表面电场对p-n结特性的影响

　　9)半导体光电效应

　　a:半导体的光学常数和光吸收

　　b:半导体的光电导效应

　　c:半导体的光生伏特效应

　　d:半导体发光和半导体激光

　　三、试卷结构：

　　a)考试时间：180分钟，满分：150分

　　b)题型结构

　　a:概念简答题（30分)

　　b:论述题(60分)

　　c:理论推导及应用计算题(60分)

　　四、参考书目:

　　1.刘恩科，半导体物理学（第四版），国防工业出版社

　　2.刘晓为等，固态电子论，电子工业出版社