广州地球化学研究所《半导体物理》考研大纲

　　（八）半导体表面与MIS结构
　　1．深入理解表面态的概念。
　　2．深入理解表面电场效应，空间电荷层及表面势的概念，包括能带示意图。深入理解并熟练掌握表面空间电荷层的电场、电势和电容的关系，包括公式、示意图。并能灵活运用。
　　3．深入理解并熟练掌握MIS结构的电容－电压特性，包括公式、示意图。并能灵活运用。
　　4．深入理解并熟练掌握硅─二氧化硅系数的性质，包括公式、示意图。并能灵活运用。
　　5．理解表面电导及迁移率的概念。
　　6．了解表面电场对p－n结特性的影响。
　　（九）异质结
　　1．理解异质结及其能带图，并能画出示意图。
　　2．了解异质结的电流输运机构。
　　3．了解异质结在器件中的应用。
　　4．了解半导体超晶格的概念。
　　（十）半导体的光、热、磁、压阻等物理现象
　　1．了解半导体的光学常数，理解折射率、吸收系数、反射系数、透射系数的概念。了解半导体的光吸收现象，理解本征吸收、直接跃迁、间接跃迁的概念。了解半导体的光电导的概念。理解并掌握半导体的光生伏特效应，光电池的电流电压特性的表达式。了解半导体发光现象，理解辐射跃迁、发光效率、电致发光的概念。了解半导体激光的基本原理和物理过程，理解自发辐射、受激辐射、分布反转的概念。
　　2．了解热电效应的一般描述，半导体的温差电动势率，半导体的珀耳帖效应，半导体的汤姆孙效应，半导体的热导率，半导体热电效应的应用。
　　3．理解并掌握霍耳效应的概念和表示方法。理解磁阻效应。了解磁光效应，量子化霍耳效应，热磁效应，光磁电效应，压阻效应。了解声波和载流子的相互作用。
　　三、主要参考书目
　　刘恩科，朱秉升，罗晋生．《半导体物理学》，电子工业出版社，2008。
　　编制单位：中国科学院大学
　　编制日期：2013年6月27日