广州地球化学研究所《半导体物理》考研大纲

　　（五）非平衡载流子
　　非平衡载流子的注入与复合，非平衡载流子的寿命，准费米能级，复合理论，陷阱效应，载流子的扩散运动，载流子的漂移运动，爱因斯坦关系式，连续性方程式
　　（六）p-n结
　　p-n结及其能带图，p-n结电流电压特性，p-n结电容，p-n结击穿，p-n结隧道效应
　　（七）金属和半导体的接触
　　金属半导体接触及其能级图，金属半导体接触整流理论，少数载流子的注入和欧姆接触
　　（八）半导体表面与MIS结构
　　表面态，表面电场效应，MIS结构的电容－电压特性，硅─二氧化硅系数的性质，表面电导及迁移率，表面电场对p－n结特性的影响
　　（九）异质结
　　异质结及其能带图，异质结的电流输运机构，异质结在器件中的应用，半导体超晶格
　　（十）半导体的光、热、磁、压阻等物理现象
　　半导体的光学常数，半导体的光吸收，半导体的光电导，半导体的光生伏特效应，半导体发光，半导体激光，热电效应的一般描述，半导体的温差电动势率，半导体的玻尔帖效应，半导体的汤姆孙效应，半导体的热导率，半导体热电效应的应用，霍耳效应，磁阻效应，磁光效应，量子化霍耳效应，热磁效应，光磁电效应，压阻效应，声波和载流子的相互作用
　　三、考试要求
　　（一）半导体的晶格结构和电子状态
　　1．了解半导体的晶格结构和结合性质的基本概念。
　　2．理解半导体中的电子状态和能带的基本概念。
　　3．掌握半导体中的电子运动规律，理解有效质量的意义。
　　4．理解本征半导体的导电机构，理解空穴的概念。
　　5．熟练掌握空间等能面和回旋共振的相关公式推导、并能灵活运用。
　　6．理解硅和锗的能带结构，掌握有效质量的计算方法。
　　7．了解III－V族化合物半导体的能带结构。
　　8．了解II－VI族化合物半导体的能带结构。