北京航空航天大学电子信息工程学院导师介绍：雷娜

　　►个人简介
　　姓名：雷娜
　　性别：女
　　职称：副教授
　　通信地址：IRC楼423
　　联系电话：************
　　邮箱：na.lei@buaa.edu.cn

　　►教育背景
　　雷娜，博士，2008年复旦大学物理系毕业，获得凝聚态物理专业博士学位。2008年9月至2013年1月在法国巴黎第十一大学基础电子研究所做博士后， 2013年3月至2014年5月在复旦大学物理系做博士后研究员。2013年12月入选北航“卓越百人计划”， 并于2014年6月正式加入北航电子信息工程学院。

　　►主要研究领域
　　研究领域主要包括: 纳米磁学、分子束外延和自旋电子学
　　在金属薄膜的分子束外延,和氧化物的激光分子束外延,以及自旋电子学器件制备方面有着丰富的经验。她曾长期研究磁性薄膜的外延制备和磁性表征、调控,近年来侧重基于铁电材料和锰氧化物的自旋电子学器件开发。雷娜在Nature Comm., PRL, PRB, APL等国外核心期刊发表多篇学术论文, 其中电场应力调控畴壁运动的工作发表在Nature Communication上, 该工作获得国际同行的广泛赞赏,文章从发表到现在一年多的SCI引用已经多达20次。 雷娜被邀请在国际学术会议ISSAMA做邀请报告,并多次参加MMM等国际会议， 也受邀成为APL、EPJAP等国际学术刊物的审稿人。

　　►正在研究项目
　　当前自旋电子学中，最大的挑战就是如何提高器件的集成度，同时降低其功耗。
　　我们将在低功耗磁存储及磁逻辑器件方面开展工作，，包括：
　　1.电压调控MRAM
　　在磁随机存储器(MRAM)中，信息的写入是通过磁化层磁矩的翻转实现。在第一代MRAM中，直接通过电流产生的磁场来实现磁化翻转，不便于集成和降低功耗；第二代STT-MRAM中，通过电流的自旋传输矩(STT)效应来翻转磁矩，可以降低器件的尺寸，但其功耗仍高于实际应用需求。
　　2.基于拓扑绝缘体界面自旋轨道效应致磁翻转。
　　拓扑绝缘体作为一种新型的量子材料，具有很多新奇的性质，是自旋电子学中最具潜力的材料。如下图所示(a)所示，拓扑表面电子态中电子自旋和动量相互锁定，在动量空间中，具有不同动量的电子其自旋被锁定在相应的方向上。当电流在拓扑绝缘体中通过，电子具有沿电流方向的额外动量，其自旋锁定在垂直于电流的方向上并产生自旋积累。在如图(b)所示的拓扑绝缘体/MTJ器件中，界面的自旋积累形成对MTJ的自旋注入，并最终使得MTJ中自由磁性层磁矩的翻转。通过利用拓扑绝缘体的这一量子特性，电流到自旋流的转化效率相对于传统的自旋霍尔效应提高了10倍以上，可以极大的降低磁矩翻转所需要的临界电流和功耗。

　　►最近发表论著
　　[1]. Strain-controlled magnetic domain wall propagation in hybrid piezoelectric/ferromagnetic structures
　　N. Lei*, T. Devolder, G. Agnus, P. Aubert, L. Daniel, J-V. Kim, W. Zhao, T. Trypiniotis, R.P. Cowburn, C. Chappert, D. Ravelosona and P. Lecoeur, Nature Comm. 4, 1378 (2013).
　　[2]. Magnetization reversal assisted by the inverse piezoelectric effect in Co-Fe-B/ferroelectric multilayers
　　N. Lei*, S. Park, P. Lecoeur, D. Ravelosona*, C. Chappert, O. Stelmakhovych and V. Holy, Phys. Rev. B  84, 012404  (2011).
　　[3]. Magnetic anisotropy tuned by interfacial engineering
　　N. Lei, D. H. Wei, C. S. Tian, S. H. Xiao, D. Z. Hou, L. H. Zhou, and X. F. Jin*, Appl. Phys. Lett. 95, 192506  (2009).
　　[4].Capping effects of Au on Fe/GaAs(001) studied by magneto-optical Kerr effect
　　N. Lei, Y. Tian, C. S. Tian, L. H. Zhou, L. F. Yin, G. S. Dong and X. F. Jin, Thin Solid Films  515, 7290 (2007).
　　[5].Perpendicular magnetic anisotropy in piezoelectric- and dielectric–ferromagnetic heterostructures based on Co/Pt multilayers
　　W. Lin*, N. Lei, N. Vernier, G. Agnus, J.P. Adam, S. Eimer, T. Devolder, P. Lecoeur, D. Ravelosona*, Thin Solid Films 533, 70 (2013).
　　[6].Voltage control of magnetism in ferromagnetic structures
　　L. H. Diez*, W. Lin, A.B. Mantel, L. Ranno, D. Givord, L. Vila, P. Warin, A. Marty, N. Lei, T. Devolder, J.V. Kim, N. Vernier, P. Lecoeur, D. Ravelosona*, Proc. SPIE 8461, Spintronics V, 84610Y (2012).
　　[7].Morphology of monolayer CuxAu1?x on Cu(001)
　　L. H. Zhou, C. S. Tian, N. Lei, G. S. Dong and X. F. Jin*, J. Phys.: Condens. Matter 22 395007 (2010).
　　[8].Magnetocrystalline Anisotropy in Permalloy Revisited
　　L. F. Yin, D. H. Wei, N. Lei, L. H. Zhou, C. S. Tian, G. S. Dong, X. F. Jin*, L. P. Guo, Q. J. Jia, and R. Q. Wu, Phys. Rev. Lett. 97, 067203 (2006).