2014年西安电子科技大学085209集成电路工程考研大纲

　　2.具体要求
　　时序电路的时间参数:：建立时间、保持时间、传播延时
　　双稳态原理
　　多路开关性锁存器
　　主从边沿触发寄存器
　　静态SR触发器
　　动态传输门边沿触发寄存器
　　C2MOS寄存器
　　真单相钟控寄存器
　　脉冲寄存器
　　流水线概念
　　流水线型逻辑
　　施密特触发器
　　单稳时序电路
　　不稳电路
　　时钟策略、时钟偏差、时钟抖动、时钟误差来源
　　●"器件物理"部分各章复习要点
　　（一）金属-氧化物-半导体场效应结构物理基础
　　1.复习内容
　　MOS结构的物理性质，能带结构与空间电荷区，平带电压与阈值电压，电容电压特性
　　2.具体要求
　　MOS结构的物理性质
　　n型和p型衬底MOS电容器的能带结构
　　耗尽层厚度的计算
　　功函数的基本概念以及金属-半导体功函数差的计算方法
　　平带电压的定义与求解；阈值电压的影响因素；
　　MOS电容的定义，理想的C-V特性；影响C-V特性的主要因素
　　（二）MOSFET基本工作原理
　　1.复习内容
　　MOSFET基本结构，MOSFET电流电压关系，衬底偏置效应。MOSFET的频率特性。闩锁现象
　　2.具体要求
　　MOSFET电流电压关系的定性分析，漏极电流与栅压之间的关系；
　　衬偏效应的概念及影响
　　小信号等效电路的概念与分析方法
　　MOSFET器件频率特性的影响因素
　　CMOS基本技术及闩锁现象
　　（三）MOSFET器件的深入概念
　　1.复习内容
　　MOSFET中的非理想效应；MOSFET的按比例缩小理论；小尺寸器件的阈值电压；MOSFET器件的击穿特性
　　2.具体要求
　　理解实际器件与理想特性之间的偏差及其原因
　　器件按比例缩小的基本方法动态电路方程及其求解
　　短沟道效应与窄沟道效应对MOSFET器件阈值电压的影响
　　MOSFET器件的各种击穿模式，击穿电压的影响因素
　　●"半导体物理"部分各章复习要点
　　（一）半导体中的电子状态
　　1.复习内容
　　半导体晶体结构与化学键性质，半导体中电子状态与能带，电子的运动与有效质量，空穴，回旋共振，元素半导体和典型化合物半导体的能带结构。
　　2.具体要求
　　半导体中的电子状态和能带
　　半导体中电子的运动和有效质量
　　本征半导体的导电机构
　　空穴的概念
　　回旋共振及其实验结果
　　Si、Ge和典型化合物半导体的能带结构
　　（二）半导体中杂志和缺陷能级
　　1.复习内容
　　元素半导体中的杂质能级，化合物半导体中的杂质能级、位错和缺陷能级。
　　2.具体要求
　　Si和Ge晶体中的杂质能级
　　杂质的补偿作用
　　深能级杂质
　　Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体中的杂质能级
　　等电子杂质与等电子陷阱
　　半导体中的缺陷与位错能级
　　（三）半导体中载流子的统计分布
　　1.复习内容
　　状态密度，Fermi能级，载流子统计分布，本征和杂质半导体的载流子浓度，补偿半导体的载流子浓度，简并半导体
　　2.具体要求
　　状态密度的定义与计算
　　费米能级和载流子的统计分布
　　本征半导体的载流子浓度
　　杂质半导体的载流子浓度
　　杂质补偿半导体的载流子浓度
　　简并半导体及其载流子浓度、简并化条件、简并半导体的特点与杂质带导电
　　载流子浓度的分析计算方法及其影响载流子浓度的因素
　　（四）半导体的导电性
　　1.复习内容
　　载流子的漂移运动，迁移率，载流子的散射，迁移率与杂质浓度和温度的关系，电阻率与杂质浓度和温度的关系，强场效应与热载流子
　　2.具体要求
　　载流子漂移运动
　　迁移率
　　载流子散射
　　半导体中的各种散射机制
　　迁移率与杂质浓度和温度的关系
　　电阻率及其与杂质浓度和温度的关系
　　强电场下的效应
　　高场畴区与Gunn效应；
　　（五）非平衡载流子
　　1.复习内容
　　非平衡载流子的产生与复合，非平衡载流子寿命，准费米能级，复合理论，陷阱效应，非平衡载流子载流子的扩散与漂移，爱因斯坦关系，连续性方程。
　　2.具体要求
　　非平衡载流子的注入与复合
　　准费米能级
　　非平衡载流子的寿命
　　复合理论
　　陷阱效应
　　载流子的扩散运动
　　载流子的漂移运动
　　Einstein关系
　　连续性方程的建立及其应用
　　三、试卷结构与考试方式
　　1、题型结构：名词解释、简答题、问答题、计算题、判断题、绘图题等。试卷满分为150分。
　　2、考试方式：闭卷，考试必须按照规定携带不具备编程和存储功能的函数计算器。
　　3、考试时间：180分钟
　　参考书目
　　1、《数字集成电路-电路、系统与设计》（第二版），Rabaey等著，周润德等译，电子工业出版社2004年。
　　2、《半导体物理与器件》（第三版）赵毅强等译电子工业出版社2005年。
　　3、《半导体物理学》（第五版）刘恩科、朱秉升、罗晋生等著，国防工业出版社，1994年。

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