2014年西安电子科技大学0809Z2集成电路系统设计考研大纲

　　（三）MOSFET器件的深入概念
　　1.复习内容
　　MOSFET中的非理想效应；MOSFET的按比例缩小理论；小尺寸器件的阈值电压；MOSFET器件的击穿特性
　　2.具体要求
　　理解实际器件与理想特性之间的偏差及其原因
　　器件按比例缩小的基本方法动态电路方程及其求解
　　短沟道效应与窄沟道效应对MOSFET器件阈值电压的影响
　　MOSFET器件的各种击穿模式，击穿电压的影响因素
　　●"数字集成电路"部分各章复习要点
　　"数字集成电路"考试范围及要点包括：数字集成电路设计质量评价的基本要素；CMOS集成电路设计规则与工艺缩小；二极管基本结构、参数、静态特性、 动态特性、二极管分析模型；MOS晶体管基本结构、阈值电压、亚阈值特性、工作区、沟道长度调制、速度饱和、MOS晶体管分析模型；反相器静态特性、开关 阈值、噪声容限、稳定性，反相器动态特性、电容构成，传播延迟分析与尺寸计算、反相器静态功耗、动态功耗；静态互补CMOS组合逻辑门设计、尺寸设计、延 迟计算与优化，有比逻辑基本原理、传输管逻辑基本原理；动态CMOS设计基本原理、信号完整性问题及其速度与功耗；时序逻辑器件时间参数、静态锁存器和寄 存器的工作原理、C2MOS寄存器结构与特性；时钟的设计策略和影响因素；导线中的传输线效应，电容寄生效应、电阻寄生效应。
　　（一）数字集成电路基本概念和质量评价
　　1.复习内容
　　数字集成电路设计中的基本概念、面临问题和质量评价标准
　　2.具体要求
　　设计约束
　　时钟设计
　　电源网络
　　设计质量评定标准
　　集成电路成本构成
　　电压传输特性
　　噪声容限
　　再生性
　　扇入扇出
　　传播延迟
　　功耗、能耗
　　设计规则
　　标准单元
　　工艺偏差
　　工艺尺寸缩小
　　封装
　　（二）器件
　　1.复习内容
　　定性了解二极管、MOS晶体管，理解其工作原理，静态特性、动态特性；掌握SPICE模型和手工分析模型。
　　2.具体要求
　　二极管结构
　　二极管静态特性
　　二极管动态特性
　　二极管手工分析模型
　　二极管SPICE模型
　　MOS晶体管结构
　　MOS晶体管工作区
　　MOS晶体管静态特性、阈值电压、沟道长度调制、速度饱和
　　MOS晶体管亚阈值特性
　　MOS晶体管动态特性
　　MOS晶体管电容构成
　　热载流子效应
　　CMOS闩锁效应
　　MOS晶体管SPICE模型
　　MOS晶体管手工分析模型
　　（三）导线
　　1.复习内容
　　互连线的电路模型，SPICE模型，确定并定量化互连参数；传输线效应；互连线的信号完整性
　　2.具体要求
　　互连参数
　　互连线电容寄生效应
　　互连线电阻寄生效应
　　互连线电感寄生效应
　　趋肤效应
　　互连线集总模型
　　互连线分布模型
　　（四）CMOS反相器
　　1.复习内容
　　反相器设计；反相器完整性、性能、能量指标的定量分析及其优化。
　　2.具体要求
　　CMOS反相器静态特性、开关阈值、噪声容限、稳定性
　　CMOS反相器动态特性
　　CMOS反相器电容计算
　　CMOS反相器传播延迟分析
　　CMOS反相器网络设计
　　CMOS反相器功耗、动态功耗、静态功耗
　　MOS反相器低功耗设计技术
　　能量延时积
　　（五）CMOS组合逻辑门设计
　　1.复习内容
　　掌握CMOS逻辑设计，包括动态和静态逻辑、传输管逻辑、无比逻辑、有比逻辑；能够优化CMOS逻辑的管子尺寸、面积、速度、稳定性和能耗；掌握低功耗逻辑设计技术
　　2.具体要求
　　静态互补CMOS设计、静态特性、传播延时、尺寸设计与性能优化
　　有比逻辑概念
　　传输管逻辑概念、传输特性、稳定性、性能
　　动态逻辑基本原理、速度、功耗、信号完整性
　　多米诺逻辑概念、设计、优化
　　（六）时序逻辑电路设计
　　1.复习内容
　　时序逻辑基本部件--寄存器、锁存器、触发器设计实现技术；静态、动态时序逻辑比较；振荡器、施密特触发器设计实现技术；时钟策略
　　2.具体要求
　　时序电路的时间参数:：建立时间、保持时间、传播延时
　　双稳态原理
　　多路开关性锁存器
　　主从边沿触发寄存器
　　静态SR触发器
　　动态传输门边沿触发寄存器
　　C2MOS寄存器
　　真单相钟控寄存器
　　脉冲寄存器
　　流水线概念
　　流水线型逻辑
　　施密特触发器
　　单稳时序电路
　　不稳电路
　　时钟策略、时钟偏差、时钟抖动、时钟误差来源
　　三、试卷结构与考试方式
　　1、题型结构：名词解释、简答题、问答题、计算题、判断题、绘图题等。试卷满分为150分。
　　2、考试方式：闭卷，考试必须按照规定携带不具备编程和存储功能的函数计算器。
　　3、考试时间：180分钟。
　　参考书目
　　1、《半导体物理学》第4版，刘恩科、朱秉升、罗晋生等著，国防工业出版社，1994年。
　　2、《半导体物理与器件》（第三版）赵毅强等译电子工业出版社2005年。
　　3、《数字集成电路-电路、系统与设计》（第二版），Rabaey等著，周润德等译，电子工业出版社2004年。

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