天津大学2007年考研复试大纲(微电子学与固体电子学综合)

　　科目名称：微电子学与固体电子学综合

　　第一部分： 半导体集成电路复试大纲（参加微电子学复试的考生参考）

　　一、考试的总体要求

　　“半导体集成电路”是微电子技术专业的主干课程。本大纲包括“晶体管原理”、“半导体集成电路”。目的是考察考生对基本理论、基本知识、基本技能及分析问题和解决问题的能力。

　　二、考试内容及比例

　　（一）晶体管原理（30%）

　　1.PN结

　　（1）PN接触电势差VBJ形成；

　　（2）理想和实际二极管电流电压方程，非平衡清况电流随电压变化规律。

　　（3）PN结击穿机理。

　　2.双极晶体管直流特性

　　（1）晶体管中的电流传输

　　（2）晶体管电流增益

　　3.晶体管频率特性和瞬变特性

　　（1）晶体管交流特性理论分析

　　掌握混合 模型及各参数的意义

　　（2）共发射极短路电流放大系数及其截止频率

　　（3）晶体管开关时间

　　4.MOS场效应晶体管

　　（1）MOS场效应晶体管基本工作原理、类型。

　　（1）MOSFET的阈值电压定义、表达式、VBS的影响

　　（2）MOSFET的伏安特性

　　能够解释输出特性曲线，理解萨之唐方程的求解过程和适用范围；了解MOSFET的击穿机理。

　　（3）短沟道效应的定义和影响

　　（二）半导体集成电路（70%）

　　1.集成电路中的晶体管及其寄生效应

　　（1）集成双极晶体管的有源寄生效应

　　（2）集成电路中的PNP管

　　（3）肖特基势垒二极管和肖特基箝位晶体管

　　2.晶体管-晶体管逻辑（TTL）电路

　　（1）TTL与非门，

　　（2）STTL 电路

　　3.发射极耦合逻辑（ECL）电路工作原理

　　4.MOS倒向器及其基本逻辑单元

　　（1）7.2  E/D反相器

　　（2）7.3  CMOS反相器

　　（3）7.5 动态反相器

　　（4）8.1 NMOS逻辑结构

　　（5）8.2 CMOS逻辑结构

　　（6）8.4 影响门的电气和物理结构设计的因素

　　（7）8.6传输门逻辑

　　（8）9.4 寄存器

　　5.模拟集成电路中的基本单元

　　（1）12.1.2 MOS管放大器

　　（2）12.2  恒流源电路

　　（3）12.3  偏置电压源和基准电压源电路

　　6.集成运算放大器

　　（1）13.1运算放大器的输入级

　　（2）13.2运算放大器的输出级电路

　　（3）13.3.1  741型通用集成运放

　　（4）13.4.4 CMOS集成运放

　　三、试卷题型及比例

　　1、简答题：30%

　　2. 论述题：45%

　　3. 计算、综合题：20%

　　4. 设计题：5%

　　四、考试形式及时间

　　笔试  考试时间1小时

　　五、主要参考材料

　　1.《微电子技术基础-双极、场效应晶体管原理》，曹培栋编著，电子工业出版社或《晶体管原理》，张屏英，周右谟编著，上海科学技术出版社

　　2.《半导体集成电路》，朱正涌编著，清华大学出版社

　　第二部分： 微电子学与固体电子学复试大纲（参加微电子学与固体电子学专业复试的考生参考）

　　一、考试的总体要求

　　本复试大纲包括“薄膜电子技术”、“功能材料理论基础”两门课程内容，是微电子学与固体电子学专业的主干课程。本课程的考试目的是考察学生对基本理论、基本知识、基本技能的掌握情况，考察学生分析问题解决问题的能力。

　　二、考试内容及比例

　　（一） 薄膜电子技术（70%）

　　1.薄膜的制备技术：

　　1）真空技术基础：真空的获得，真空度的表征和检测，

　　2）物理气相沉积镀膜技术：真空蒸发镀膜原理，蒸发特性及参数，合金及化合物蒸发。溅射镀膜类型及原理、特点，溅射特性参数。离子镀膜原理、特点。

　　3）化学气相沉积镀膜技术：不同类型化学气相沉积镀膜方法原理及特点（LPCVD，PECVD，MOCVD）

　　4）溶液镀膜法：化学镀，溶胶-凝胶法，LB膜的制备原理。

　　2.薄膜形成理论：

　　1）薄膜的形成过程，薄膜的形成与生长形式。

　　2）薄膜的结构与缺陷：薄膜的组织结构、晶体结构、表面结构，薄膜的缺陷及产生机理。

　　3.薄膜结构与化学组分检测方法：X射线衍射法，扫描电子显微镜法，俄歇电子能谱法，

　　X射线光电子能谱法

　　（二）功能材料理论基础（30%）

　　1. 相律与相平衡的基本概念

　　2. 二元系统的杠杆规则和基本类型

　　（1）具有低共熔点的系统

　　（2）形成连续固溶体的系统

　　（3）形成不连续固溶体的系统

　　3. 固溶体

　　（1）置换型固溶体形成连续固熔体的条件

　　（2）填隙型固溶体

　　（3）固溶体的性质和研究方法

　　4. 烧结的理论基础

　　（1）烧结过程

　　（2）烧结的推动力

　　（3）影响烧结的因素

　　三、试卷题型及比例

　　1、选择，填空题：10%

　　2、简答题：30%

　　3、论述题：45%

　　4、综合题：15%

　　四、考试形式及时间

　　笔试  考试时间1小时

　　五、主要参考材料

　　1、《薄膜物理与技术》，杨邦朝编著，电子科技大学出版社

　　2、《功能材料理论基础》，自编教材