2014年天津大学085209集成电路工程考研大纲

　　考研网快讯，据天津大学研究生院消息，2014年天津大学集成电路工程考研大纲已发布，详情如下：
　　811电路
　　一、考试的总体要求
　　掌握电路的基本理论和分析计算电路的基本方法，灵活运用所学的电路理论及方法解决复杂的综合性电路问题。
　　二、考试的内容及比例
　　1．基本概念：电压、电流及其参考方向，电阻、电容、电感、电压源和受控源等元件的特性及其电压电流关系，线性和非线性的概念，电功率和电能量，电路模型，基尔霍夫定律。
　　2．线性电阻电路的分析：简单电阻电路的计算，星角转换，非理想电源的模型及其等效转换，支路分析法，回路分析法，节点分析法，叠加定理，互易定理，替代定理，戴维南定理
　　和诺顿定理，匹配的概念。
　　3．正弦交流电路的稳态分析：正弦量的基本概念，正弦量的相量、相量图、电路元件电压电流关系的相量形式、阻抗和导纳，基尔霍夫定律的相量形式，正弦电路的功率，功率因数，正弦电路的分析计算（复数运算、相量图分析），含互感电路的计算（互感电压、同名端、串联、并联、互感消去），谐振电路的特点及其分析计算，三相电路的连接方式，对称三相电路的电压、电流和功率的计算，非正弦周期电流电路的分析计算方法。
　　4．线性动态电路的时域分析：一阶动态电路的动态过程，换路定则，一阶动态电路的分析计算（零输入响应，零状态响应和全响应，三要素法），阶跃函数和冲激函数，阶跃函数响应和冲激函数响应，二阶电路的时域分析。
　　5．线性电路的复频域分析：电路元件电压电流关系的复频域形式，复频域阻抗和复频域导纳，基尔霍夫定律的复频域形式，用复频域分析法分析计算动态电路。
　　6．非线性电路：图解法和小信号分析法。
　　7．网络方程的矩阵形式：关联矩阵，基本回路矩阵，基本割集矩阵，由关联矩阵建立节点方程、基本回路方程和基本割集方程。用直观法列写电路的状态方程。
　　8．二端口网络：二端口网络（包括有载二端口、有源二端口）及其四种参数（Z、Y、H、A）方程和参数的计算，互易条件口，对称条件，二端口网络的等效电路，二端口网络的联接。
　　9．分布参数电路：无损传输线的正弦稳态解，特性阻抗，行波和驻波，入射波和反射波，匹配的概念，无损传输线的暂态分析，波的发生和反射，柏德生法则。
　　10．关于电工测量：电压表、电流表和功率表在电路中的应用，电路参数的测量，功率的测量，三相电路功率的测量。
　　上述前五部分约占总分的65%，后五部分约占总分的35%。
　　三、考试的题型及比例计算题
　　四、考试形式及时间考试形式为笔试，考试时间为3小时

　　813半导体物理或电介质物理
　　本考试课程由两部分组成，请考生根据自己的具体情况任选一部分进行答题。
　　第一部分：半导体物理考试大纲（参加半导体物理考试的考生参考）：一、考试的总体要求本课程为本专业主干专业基础课，要求考生掌握半导体物理的基本概念、p-n结、MOS结构、异质结、各种半导体效应（光、磁、热、压阻等）基本原理和应用。
　　二、考试的内容及比例
　　（一）考试内容要点：第一部分：（70%）
　　1、半导体能带结构、半导体有效质量、空穴、杂质能级；
　　2、热平衡状态下半导体载流子的统计分布，本征半导体和杂质半导体的载流子浓度，简并半导体和重掺杂效应；
　　3、半导体的导电性：载流子的漂移运动、迁移率、散射、强电场效应、热载流子的概念,
　　半导体电阻率与温度、杂质浓度的关系，体内负微分电导；
　　4、非平衡载流子：非平衡载流子的产生、复合、寿命、扩散长度、准费米能级，爱因斯坦关系，一维稳定扩散，光激发载流子衰减；
　　5、p-n结、MOS结构：平衡与非平衡p-n结特点及其能带图，pn结理想和非理想I-V特性，
　　p-n结电容概念与击穿机制，p-n结隧道效应、肖特基势垒二极管；
　　6、MOS结构表面电场效应，理想与实际MOS结构C-V特性，MOS系统的性质（固定电荷、可动离子、界面态对C-V特性的影响），表面电场对p-n结特性的影响；
　　第二部分：（30%）
　　7、半导体异质结：异质结概念及理想突变反型异质结能带图，异质p-n结注入特性（高注入比与超注入概念），半导体应变异质结概念；
　　8、半导体光学性质：半导体光吸收，半导体光电探测器,半导体太阳电池，半导体发光概念与应用，半导体激光与应用；
　　9、半导体霍尔效应、半导体压阻效应、半导体热电效应及其应用，非晶态半导体概念。
　　（二）比例：
　　考试内容前6个问题占70%，后3个问题占30%，计算与推导题基本覆盖在2至6个问题中。　　三、试卷题型及比例
　　1、概念与问答题：40%；
　　2、论述题：30%；
　　3、计算与推导题：20%；
　　4、实验与综合题：10%。
　　四、考试形式及时间考试形式均为笔试。考试时间为3小时(满分150)。
　　五、参考书目
　　半导体物理学，（第七版），刘恩科、朱秉升、罗晋生编著，电子工业出版社。
　　第二部分：电介质物理大纲（参加电介质物理考试的考生参考）：一、考试的总体要求本课程要求考生重点掌握电介质物理的基本原理与概念，并能运用这些基本概念分析和解释有关的实际问题。
　　二、考试的内容及比例考试具体范围如下：
　　1、恒定电场中电介质的极化
　　（1）介电常数和介质极化；
　　（2）有效电场；
　　（3）克-莫方程及其应用；
　　（4）极性液体介质的有效电场；
　　（5）电子位移极化、离子位移极化、转向极化、热离子极化、空间电荷极化。
　　2、恒定电场中电介质的电导
　　（1）气体介质的电导；
　　（2）液体介质的电导；
　　（3）固体介质的电导-固体介质的离子电导；
　　（4）固体介质的表面电导；
　　（5）直流电场下介质的绝缘电阻与能量损耗。
　　3、交变电场中电介质的损耗
　　（1）复介电常数和复折射率；
　　（2）介质损耗；
　　（3）弛豫现象；
　　（4）德拜方程；
　　（5）柯尔-柯尔圆弧律；
　　（6）介质损耗与温度的关系；
　　（7）计及漏电导时的介质损耗；
　　（8）有损耗电介质的等效电路。三、试卷类型及比例
　　1、名词辨析题：20%
　　2、填空题：20%
　　3、简答题：40%
　　4、综合题：20%
　　四、考试形式及时间
　　考试形式均为笔试。考试时间为3小时（满分150分）。五、参考书目
　　1、《电介质物理导论》，李翰如，成都科技大学出版社；
　　2、《电介质物理基础》，孙目珍，华南理工大学出版社；
　　3、《电介质物理》，张良莹、姚熹，西安交通大学出版社。