华南理工大学电子与信息学院导师介绍:姚若河
姓名:姚若河 性别:男 职称:教授 学院:电子与信息学院 最后学历:博士 主要研究方向:集成
姓名:姚若河 性别:男 职称:教授
学院:电子与信息学院 最后学历:博士
主要研究方向:集成电路设计与系统集成;半导体材料及器件;微/纳电子器件模型研究
姚若河,男,中共党员,博士,教授,博士研究生导师。1982年1月毕业于中山大学无线电物理专业。曾先后在电子工业部桂林电子工业学院、清华大学、北方交通大学和汕头大学工作和学习。多次应邀到香港大学、香港理工大学进行学术访问研究。现任全国信息与电子学科研究生教育委员会理事、广东省物理学会常务理事、广东省电子学会常务理事、广东省半导体与集成技术专业学会副主任。现任华南理工大学电子与信息学院副院长、微电子研究所副所长。先后主讲模拟电子技术、高频电子线路、电子线路的CAD、微机原理及应用、数字信号处理、计算微电子学和集成电路设计方法学等本科和研究生课程。已招收培养博士研究生10多名,硕士研究生80多名,在所指导的研究生中,曾获全国大学生“挑战杯”特等奖,广东省南粤优秀研究生,广东省优秀博士学位论文,广东省优秀硕士学位论文等奖励。先后主持国家自然科学基金、广东省重大科技项目、广东省自然科学基金等科研项目10多项,作为核心成员参加国家自然科学基金、国家“973” 项目等9项。获省部级科研奖8项。2001年获广东省南粤优秀教师奖。已发表论文100多篇,其中被SCI、EI、ISTP检索60多次。申请专利8项(已授权5项)。目前的研究领域包括集成电路系统设计及制造、计算微电子学和新型光电器件及物理等。
近年来研究生发表的部分论文:
1、 Z.P. Bian, R.H. Yao, et.al. Low-Voltage Class-AB CMOS Output Stage with Tunable Quiescent Current. IEICE Trans. Electron. 2010,93(5):1375-1376
2、 J.W.Chen, R.H.Yao. Efficient Modulo 2n+1 Multipliers for Diminished-1 Representation. IET Circuits Devices Syst. 2010,4(4):291-300
3、 W.J. Wu, R.H. Yao, et.al. A new analytical threshold voltage model for the doped polysilicon thin-film transistors. Solid-State Electronics,2009,53(6):607-612
4、 X. Yi, X. Chen, R. Yao, Frequency-adjustable clock oscillator based on frequency-to-voltage converter. Electronic Letters, 2009, 45(11):530-531
5、 W. J. Wu, R. H. Yao. A Simple Modeling of DIGBL Effect for Polysilicon Films and Polysilicon Thin-Film Transistors. IEEE. Electron Devices Letters,2008,29(10):1128-1131
6、 Y. Liu,R. H. Yao,et.al. A physical model with the effects of self-heating and variable resistance in above-threshold region for hydrogenated amorphous silicon thin film transistor. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,2008, 47( 6): 4436-4440
7、 X. Y. Duan,Y. J. Zhao ,R. H. Yao. Pushing p-type conductivity in ZnO by (Zr,N) codoping: A first-principles study. Solid State Communications, 2008,147(5-6):194-197
8、 W.J. Wu, R.H. Yao, et.al.. A physical model of floating body effects in polysilicon thin film transistors. Solid-State Electronics,2008,52(6):930-936
9、 Y. Lu,R. H. Yao. Low-voltage constant-gm rail-to-rail CMOS operational amplifier input stage. Solid-State Electronics,2008,52(6):957-961
10、 X. Y. Duan,R. H. Yao, et.al. The mechanism of Li, N dual-acceptor co-doped p-type ZnO. Applied Physics A,2008,91(3):467-472
11、 Y. Liu,R. H. Yao,et.al. An analytical model based on surface potential for a-Si:H thin film transistor. IEEE J. Display Technology,2008,4(2):181-187
12、 W. J.Wu, R. H. Yao, et.al.. A Compact Model for Poly-silicon TFTs Leakage Current including Poole-Frenkel Effect. IEEE Trans. Electron Devices,2007,54(11):2975-2983
13、 W.J. Wu, R.H. Yao, et.al. A new extraction method of poly-Si TFT model parameters in the leakage region. Solid-State Electronics,2007,51(5):778-783
14、 何贵平,张弜,姚若河. Er3+和Ce3+/ Ce4+掺杂- BaB2O4纳米棒的制备、结构与发光性质. 物理化学学报.2010,26(3):685-690
15、 姚若河 陈中盟. 抗谐波锁定的延时锁相环. 华南理工大学学报(自然科学版),2010, 38( 9 ):1-6
16、 许佳雄,姚若河,耿魁伟. 用Lambert W函数求解太阳能电池的串联电阻. 华南理工大学学报(自然科学版),2010, 38( 6 ):42-45
17、 姚若河,欧秀平. 多晶硅薄膜晶体管的有效迁移率模型. 华南理工大学学报(自然科学版),2010, 38( 5 ):61-64
18、 陈建文, 姚若河. 高效的五基数剩余数至二进制数转换器设计. 华南理工大学学报(自然科学版),2010, 38( 5 ):55-60
19、 姚若河,欧秀平. 低掺杂多晶硅薄膜晶体管阈值电压的修正模型. 华南理工大学学报(自然科学版),2010, 38( 1 ):14-17
20、 侯通贤,姚若河,林晓玲. 伪通孔对铜互连应力诱生空洞的影响. 微电子学,2010,40(2):295-299
21、 陈中盟,姚若河. 分段式电流舵D/ A转换器抗dL/ dt噪声设计. 微电子学,2010,40(1):1-5
22、 侯通贤,林晓玲,姚若河. 互连宽度对铜互连应力可靠性的影响. 微电子学,2010,40(1):122-125
23、 易翔, 姚若河,一种基于频率/电压变换器的高精度时钟振荡器,微电子学,2009,39(3):344-347
24、 钟金广,姚若河,侯识华,基于非均匀高斯函数的无刷直流电动机模糊控制,微特电机,2009,(7):41-44
25、 林晓玲,姚若河,等. SiGe HBT的热载流子效应评价. 华南理工大学学报(自然科学版),2009, 37( 5 ):23-26
26、 刘远,姚若河,李斌. 非晶硅薄膜晶体管中不饱和输出电流的数值仿真. 华南理工大学学报(自然科学版),2009, 37( 1):15-18
27、 邹芯遥,姚若河. 支持向量机在小子样IC可靠性评估中的应用. 华南理工大学学报(自然科学版),2009, 37( 1):23-26
28、 欧秀平,姚若河,吴为敬. 多晶硅薄膜晶体管中的晶粒间界电荷分享效应,微电子学,2008,38(6):796-799
29、 李文冠,姚若河,郭丽芳. 一种2V、9μA、15×10-6/oC高电源抑制CMOS带隙电压基准源,电子器件,2008,31(5):1490-1494
30、 路延,姚若河. 一种低电压恒定跨导Rail-to-Rail的CMOS运放输入级,电子器件,2008,31(5):1479-1482
31、 刘瑶,姚若河,等. ESD保护器件GGNMOS二次击穿前的建模,微电子学,2008,38(5):647-651
32、 路香香,罗宏伟,姚若河 等,Esn应力下的扩散电阻及模型击穿特性,微电子学,2008,38(4):469-472
33、 邹芯遥,姚若河. 小子样统计理论及IC可靠性评估. 控制与决策,2008,23(3):241-245
34、 路香香,姚若河,罗宏伟,ESD应力下的NMOSFET模型. 微电子学,2007,37(6):842-847
35、 林晓玲,孔学东,姚若河 等. SiGeHBT器件的可靠性技术. 微电子学,2007,37(2):210-213
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