中科院微电子研究所硅器件与集成技术研究室介绍

　　在高性能功率器件方面，“八五”、“九五”期间承担多项科技攻关，形成系列功率VDMOS产品，量产芯片大量投放市场，获得1项“八五”攻关重大成果奖与多项中国科学院科技进步奖。目前已研制出数十款高可靠系列产品，被国内多个单位小批量订货。

学科方向

　　硅器件与集成技术研究室共设有四个课题组，分别从事SOI集成电路、功率器件、显示驱动、测试及可靠性技术研究。

　　1、 SOI集成电路方向：学科带头人—韩郑生（研究员，博导，室主任），主要从事基于SOI技术的超大规模集成电路设计技术研究和相应产品研制任务。在高可靠性SOI电路研制方面处于国内领先地位，近几年研发的产品主要涉及包括SRAM（静态存储器）系列、MCU（微控制单元）、逻辑电路系列等，目前承担有国家重大科技项目。SOI CMOS集成电路具有高可靠性、高速、低功耗、高集成度等优点。

　　2 、功率器件方向：学科带头人—王立新，主要从事大功率VDMOS系列、IGBT系列、霍尔传感器电路系列等产品的研制。该学科方向历史悠久，是国内最早研制VDMOS器件和霍尔电路的单位之一，目前在高性能、高可靠性的VDMOS器件研制方面处于国内领先地位。正在研制的VDMOS器件涵盖100V-600V系列20余款产品，IGBT涵盖600V，1200V系列多款产品，霍尔电路开关型和锁定性两大系列10余款产品。

　　3、 驱动电路方向：学科带头人—杜寰，主要从事平板显示驱动电路、非挥发存储器驱动电路以及LDMOS功率器件等方面的研究。平板显示驱动主要包括有机发光微显示（硅上有机发光（OLEDoS）和硅上液晶微显示（LCoS）和应用于场致发射（FED）和等离子(PDP)平板显示的高压驱动（100V～200V）电路。在存储器方面主要从事磁存储器和纳米阻变存储器驱动电路方面的研究。在功率器件方面主要从事输出功率为50～200W，工作频率为500MHz～2GHz的LDMOS功率器件。

　　4 、测试及可靠性方向：学科带头人—朱阳军，主要从事半导体集成电路&分立器件的测试、可靠性、失效分析技术的研究以及相应的技术支撑服务，是研究室新设立的学科方向。承担着国家重大科技专项中“测试及可靠性产品公共服务平台建设”的课题任务，建立一个提供完善的测试、可靠性检测、失效分析的公共服务平台。目前在研的其他课题有关于新型可靠性分析技术研究，可靠性测试设备研制，失效机理、模型及失效分析技术研究等内容。

　　科研实力