2015年哈尔滨工业大学0805Z2信息功能材料与器件考研大纲（官方）

　　考研网快讯，据哈尔滨工业大学研究生院消息，2015年哈尔滨工业大学0805Z2信息功能材料与器件考研大纲已发布，详情如下：

　　2013-2015年硕士研究生入学考试大纲

　　考试科目名称：半导体物理Ⅱ 考试科目代码：[829]

　　《半导体物理》考试大纲

　　一、考试要求：

　　要求考生系统地掌握半导体物理的基本概念和基本原理，并能利用基本原理分析半导体的物理性能。要求考生对半导体的晶体结构和能带论、载流子统计分布、载流子输运过程、p-n结理论、金属-半导体接触理论、半导体光电效应等基本原理有很好的掌握，并能熟练运用分析半导体的光电特性。

　　二、考试内容：

　　1)半导体晶体结构和能带论

　　a: 半导体晶格结构及电子状态和能带

　　b: 半导体中电子的运动

　　c: 本征半导体的导电机构

　　d: 硅和锗及常用化合物半导体的能带结构

　　2) 杂质半导体理论

　　a: 硅和锗晶体中的杂质能级

　　b: 常用化合物半导体中的杂质能级

　　c: 缺陷、位错能级

　　3) 载流子的统计分布

　　a: 状态密度与载流子的统计分布

　　b: 本征与杂质半导体的载流子浓度

　　c: 一般情况下载流子统计分布

　　d: 简并半导体

　　4) 半导体的导电性

　　a: 载流子的漂移运动与散射机构

　　b: 迁移率、电阻率与杂质浓度和温度的关系

　　c: 多能谷散射、耿氏效应

　　5) 非平衡载流子

　　a: 非平衡载流子的注入、复合与寿命

　　b: 准费米能级

　　c: 复合理论、陷阱效应

　　d: 载流子的扩散、电流密度方程

　　e: 连续性方程

　　6) p-n结理论

　　a: p-n结及其能带图

　　b: p-n结电流电压特性

　　c: p-n结电容、p-n结隧道效应

　　7) 金属-半导体接触理论

　　a: 金-半接触、能带及整流理论

　　b: 欧姆接触

　　8) 半导体光电效应

　　a: 半导体的光学性质(光吸收和光发射)

　　b: 半导体的光电导效应

　　c: 半导体的光生伏特效应

　　d: 半导体发光二极管、光电二极管

　　三、试卷结构：

　　a) 考试时间：180分钟，满分：150分

　　b) 题型结构

　　a:概念及简答题(60分)

　　b:论述题(90分)

　　c)内容结构

　　a: 半导体晶体结构和能带论及杂质半导体理论(30分)

　　b: 载流子的统计分布 (20分)

　　c: 半导体的导电性 (20分)

　　d: 非平衡载流子(20分)

　　e: p-n结理论和金属-半导体接触理论 (30分)

　　f: 半导体光电效应 (30分)

　　四、参考书目

　　1. 刘恩科，朱秉升，罗晋升编著. 半导体物理学. 电子工业出版社, 2011.03.

　　2. [美]施敏 (S.M.Sze)，半导体器件物理，电子工业出版社，1987.12.

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