2015年北京理工大学080900电子科学与技术考研大纲

　　考研网快讯，据北京理工大学研究生院消息，2015年北京理工大学080900电子科学与技术考研大纲已发布，详情如下：

　　882电路、信号与系统
　　一、考试范围
　　"电路、信号与系统"科目考试内容由"信号与系统"（下面1－6项）和"数字电路"（下面7－16项）两部分组成，具体内容要求如下：
　　1.信号与系统的基本概念：信号描述及信号的基本运算，典型信号。系统模型、互联及主要特性;
　　2.LTI系统的时域分析：卷积积分、卷积和、卷积性质与计算。用微分/差分方程描述的因果系统的经典解法。零输入/零状态响应;
　　3.确定信号的频谱分析：周期信号的傅立叶级数及周期信号的频谱表示。非周期信号的傅立叶变换及其性质，周期信号的傅立叶级数与非周期信号的傅立叶变换的关系。抽样定理;
　　4.LTI系统的频域分析：系统频率响应，系统的傅立叶分析法。无失真传输条件，理想滤波器;
　　5.LTI系统的复频域分析：拉氏变换及其收敛域，Z变换及其收敛域。变换性质以及典型信号的变换对。用单边拉氏变换和Z变换求解微分/差分方程。系统函数。系统方框图;
　　6.状态方程:状态方程的建立，状态转移矩阵的求解；
　　7.数制与编码：数制，数制转换，符号数的表示方法，利用补码进行加减运算，二-十进制编码，格雷码，ASCII符；
　　8.逻辑代数基础：逻辑变量与逻辑函数，逻辑代数的基本运算规律，逻辑函数的两种标准形式，逻辑函数的代数化简法，逻辑函数的卡诺图化简法，，非完全描述逻辑函数，逻辑函数的描述；
　　9.逻辑门电路：TTL与CMOS门电路的输入、输出特性及参数；
　　10.组合逻辑电路：常用数字集成组合逻辑电路及其应用，组合电路逻辑分析，组合电路逻辑设计，组合逻辑电路中的竞争与冒险现象；
　　11．触发器：D锁存器与触发器的特点与区别；JK触发器、D触发器、T触发器和T'触发器的描述方法；触发器的功能转换；
　　12.常用时序电路组件：异步计数器，同步二进制计数器，集成计数器，移位寄存器
　　13.时序逻辑电路：同步时序逻辑电路（状态机）的分析，同步时序逻辑电路（状态机）的设计；
　　14.脉冲信号的产生和整形：连续矩形脉冲波的产生，单稳态触发器、施密特触发器的原理及特点；
　　15.数-模、模-数变换器：数模转换器及其参数，模数转换器及其参数；
　　16.存储器及可编程器件：随机存取存储器RAM，ROM，容量及容量的扩展，用可编程逻辑器件（PLA，PAL，GAL，PLD）实现逻辑函数。
　　二、题型及分值分布情况
　　"电路、信号与系统"考试科目满分150分，其中"信号与系统"和"数字电路"考题各占75分。具体情况如下：
　　"信号与系统"部分：基础题占25分，综合题占50分；
　　"数字电路"部分：组合电路分析与设计题占25分，时序电路分析与设计题占30分，其它部分为问答/填空题，占20分。
　　887电子科学与技术基础
　　1．考试内容
　　（1）电子技术基础部分
　　主要包括二极管、三极管的结构、特性及主要参数；掌握饱和、放大、截止的基本概念和条件。晶体管放大电路的组成和工作原理。掌握图解分析法和等效模型分析法。掌握放大电路的三种组态及性能特点。电路的三种耦合方式及特点。反馈的基本概念：正、负反馈；电压、电流、串联、并联负反馈；掌握反馈类型和极性判断，引入负反馈对放大性能的影响。比例、加减、微积分线性运算电路。一般了解对数、指数运算电路的工作原理及一阶、二阶有源滤波器的电路组成、频率特性。了解产生自激振荡的条件。掌握电压比较器，用电压比较器组成的非正弦发生电路。掌握逻辑代数的基本公式、基本规则；逻辑代数的表示方法及相互转换。掌握各种门的逻辑符号、功能、特点、使用方法。正确理解TTL门和CMOS门电路的结构、工作原理。
　　（2）电磁场理论部分
　　主要考察考生对电磁理论基本内容的理解和掌握程度，以及灵活应用知识的能力。试卷命题对大纲内容有覆盖性和广泛性，题型主要包括概念题、计算题和证明推导题。应掌握的基本内容为：①矢量分析：三种常用坐标系内的梯度、散度和旋度的运算、几种重要矢量场的定义和性质；②静电场：库仑定律、电场与电场强度、高斯定律、静电场的环路定律、电位和电位差、电位的泊松方程和拉普拉斯方程、电偶极子、电介质中的静电场、静电场中的导体、电场能量与静电力；③恒定电场和电流：恒定电流场的基本定律、欧姆定律和焦耳定律、恒定电流场的边界条件、恒定电流场与静电场的类比；④恒定磁场：安培磁力定律和毕奥---沙伐定律、恒定磁场的基本定律、矢量磁位和标量磁位、磁偶极子、磁介质中恒定磁场基本定律、磁介质的边界条件；⑤静态场的边值问题：拉普拉斯方程的分离变量法、镜象法、有限差分法；⑥电磁感应：法拉第电磁感应定律、电感、磁场的能量；⑦时变电磁场：位移电流和推广的安培回路定律、麦克斯韦方程组、正弦电磁场、媒质的色散与损耗、坡印廷定理、电磁场的波动方程、标量位和矢量位、时变电磁场的边界条件；⑧平面电磁波：理想介质中的均匀平面电磁波、电磁波的极化、有耗媒质中的均匀平面电磁波、理想媒质界面上电磁波的反射和折射、全折射和全反射；⑨导行电磁波：矩形波导管中的电磁波、TE10模电磁波、波导中的能量传输与损耗、传输线上的TEM波、谐振腔；⑩电磁波辐射：赫芝偶极子辐射、磁偶极子天线的辐射、线天线、天线的方向性系数和增益。
　　（3）半导体物理部分
　　主要包含半导体中的电子状态；半导体中的电子状态和能带、电子的运动，本征半导体的导电机构、空穴，回旋共振，硅和锗的能带结构；半导体中的杂质和缺陷能级，硅、锗晶体中的杂质能级、缺陷、位错能级；半导体中载流子的统计分布、状态密度，费米能级、载流子浓度的计算，简并半导体；载流子的位移与扩散运动，载流子的散射、迁移率、电阻率、强场效应、热载流子、多能谷散射，耿氏效应；非平衡载流子的注入，复合寿命，费米能级，复合理论，陷阱效应，载流子的迁移运动，爱因斯坦关系，连续性方程；PN结的伏安特性，PN结电容，击穿；金属和半导体的接触的理论，少子的注入与欧姆接触；表面态，表面场效应，C-V特性，表面电场对PN结特性的影响；半导体的光学性质，光电性质，发光现象，半导体激光器；半导体的热电性质，温差电动势率，热电效应及其应用；半导体磁效应和压阻效应。
　　2．考试要求
　　（1）电子技术基础部分要求全部考生必做；
　　（2）电磁场理论部分（A）要求报考02电磁仿真与天线、03毫米波太赫兹技术与系统方向考生必做；
　　（3）半导体物理部分（B）要求报考04微电子与集成电路方向考生必做；
　　（4）报考其他方向考生可任选A或B。
　　3．题型及分值安排
　　(1)题型:简答题和计算题。简答题包含概念题和重要数学公式及其物理意义，计算题包含数学模型、重要物理量计算、设计等。
　　(2)分值安排：简答题占40%，计算题占60%。

　
　　点击【2015年北京理工大学考研大纲】查看更多考研大纲。
【相关阅读】
研究生招生专业索引
2015年全国各学校考研大纲汇总