2015年北京理工大学080900电子科学与技术考研大纲
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考研网快讯,据北京理工大学研究生院消息,2015年北京理工大学080900电子科学与技术考研大纲已发布,详情如下:882电路、信号与系统一、考试范围电
考研网快讯,据北京理工大学研究生院消息,2015年北京理工大学080900电子科学与技术考研大纲已发布,详情如下:
882电路、信号与系统
一、考试范围
"电路、信号与系统"科目考试内容由"信号与系统"(下面1-6项)和"数字电路"(下面7-16项)两部分组成,具体内容要求如下:
1.信号与系统的基本概念:信号描述及信号的基本运算,典型信号。系统模型、互联及主要特性;
2.LTI系统的时域分析:卷积积分、卷积和、卷积性质与计算。用微分/差分方程描述的因果系统的经典解法。零输入/零状态响应;
3.确定信号的频谱分析:周期信号的傅立叶级数及周期信号的频谱表示。非周期信号的傅立叶变换及其性质,周期信号的傅立叶级数与非周期信号的傅立叶变换的关系。抽样定理;
4.LTI系统的频域分析:系统频率响应,系统的傅立叶分析法。无失真传输条件,理想滤波器;
5.LTI系统的复频域分析:拉氏变换及其收敛域,Z变换及其收敛域。变换性质以及典型信号的变换对。用单边拉氏变换和Z变换求解微分/差分方程。系统函数。系统方框图;
6.状态方程:状态方程的建立,状态转移矩阵的求解;
7.数制与编码:数制,数制转换,符号数的表示方法,利用补码进行加减运算,二-十进制编码,格雷码,ASCII符;
8.逻辑代数基础:逻辑变量与逻辑函数,逻辑代数的基本运算规律,逻辑函数的两种标准形式,逻辑函数的代数化简法,逻辑函数的卡诺图化简法,,非完全描述逻辑函数,逻辑函数的描述;
9.逻辑门电路:TTL与CMOS门电路的输入、输出特性及参数;
10.组合逻辑电路:常用数字集成组合逻辑电路及其应用,组合电路逻辑分析,组合电路逻辑设计,组合逻辑电路中的竞争与冒险现象;
11.触发器:D锁存器与触发器的特点与区别;JK触发器、D触发器、T触发器和T'触发器的描述方法;触发器的功能转换;
12.常用时序电路组件:异步计数器,同步二进制计数器,集成计数器,移位寄存器
13.时序逻辑电路:同步时序逻辑电路(状态机)的分析,同步时序逻辑电路(状态机)的设计;
14.脉冲信号的产生和整形:连续矩形脉冲波的产生,单稳态触发器、施密特触发器的原理及特点;
15.数-模、模-数变换器:数模转换器及其参数,模数转换器及其参数;
16.存储器及可编程器件:随机存取存储器RAM,ROM,容量及容量的扩展,用可编程逻辑器件(PLA,PAL,GAL,PLD)实现逻辑函数。
二、题型及分值分布情况
"电路、信号与系统"考试科目满分150分,其中"信号与系统"和"数字电路"考题各占75分。具体情况如下:
"信号与系统"部分:基础题占25分,综合题占50分;
"数字电路"部分:组合电路分析与设计题占25分,时序电路分析与设计题占30分,其它部分为问答/填空题,占20分。
887电子科学与技术基础
1.考试内容
(1)电子技术基础部分
主要包括二极管、三极管的结构、特性及主要参数;掌握饱和、放大、截止的基本概念和条件。晶体管放大电路的组成和工作原理。掌握图解分析法和等效模型分析法。掌握放大电路的三种组态及性能特点。电路的三种耦合方式及特点。反馈的基本概念:正、负反馈;电压、电流、串联、并联负反馈;掌握反馈类型和极性判断,引入负反馈对放大性能的影响。比例、加减、微积分线性运算电路。一般了解对数、指数运算电路的工作原理及一阶、二阶有源滤波器的电路组成、频率特性。了解产生自激振荡的条件。掌握电压比较器,用电压比较器组成的非正弦发生电路。掌握逻辑代数的基本公式、基本规则;逻辑代数的表示方法及相互转换。掌握各种门的逻辑符号、功能、特点、使用方法。正确理解TTL门和CMOS门电路的结构、工作原理。
(2)电磁场理论部分
主要考察考生对电磁理论基本内容的理解和掌握程度,以及灵活应用知识的能力。试卷命题对大纲内容有覆盖性和广泛性,题型主要包括概念题、计算题和证明推导题。应掌握的基本内容为:①矢量分析:三种常用坐标系内的梯度、散度和旋度的运算、几种重要矢量场的定义和性质;②静电场:库仑定律、电场与电场强度、高斯定律、静电场的环路定律、电位和电位差、电位的泊松方程和拉普拉斯方程、电偶极子、电介质中的静电场、静电场中的导体、电场能量与静电力;③恒定电场和电流:恒定电流场的基本定律、欧姆定律和焦耳定律、恒定电流场的边界条件、恒定电流场与静电场的类比;④恒定磁场:安培磁力定律和毕奥---沙伐定律、恒定磁场的基本定律、矢量磁位和标量磁位、磁偶极子、磁介质中恒定磁场基本定律、磁介质的边界条件;⑤静态场的边值问题:拉普拉斯方程的分离变量法、镜象法、有限差分法;⑥电磁感应:法拉第电磁感应定律、电感、磁场的能量;⑦时变电磁场:位移电流和推广的安培回路定律、麦克斯韦方程组、正弦电磁场、媒质的色散与损耗、坡印廷定理、电磁场的波动方程、标量位和矢量位、时变电磁场的边界条件;⑧平面电磁波:理想介质中的均匀平面电磁波、电磁波的极化、有耗媒质中的均匀平面电磁波、理想媒质界面上电磁波的反射和折射、全折射和全反射;⑨导行电磁波:矩形波导管中的电磁波、TE10模电磁波、波导中的能量传输与损耗、传输线上的TEM波、谐振腔;⑩电磁波辐射:赫芝偶极子辐射、磁偶极子天线的辐射、线天线、天线的方向性系数和增益。
(3)半导体物理部分
主要包含半导体中的电子状态;半导体中的电子状态和能带、电子的运动,本征半导体的导电机构、空穴,回旋共振,硅和锗的能带结构;半导体中的杂质和缺陷能级,硅、锗晶体中的杂质能级、缺陷、位错能级;半导体中载流子的统计分布、状态密度,费米能级、载流子浓度的计算,简并半导体;载流子的位移与扩散运动,载流子的散射、迁移率、电阻率、强场效应、热载流子、多能谷散射,耿氏效应;非平衡载流子的注入,复合寿命,费米能级,复合理论,陷阱效应,载流子的迁移运动,爱因斯坦关系,连续性方程;PN结的伏安特性,PN结电容,击穿;金属和半导体的接触的理论,少子的注入与欧姆接触;表面态,表面场效应,C-V特性,表面电场对PN结特性的影响;半导体的光学性质,光电性质,发光现象,半导体激光器;半导体的热电性质,温差电动势率,热电效应及其应用;半导体磁效应和压阻效应。
2.考试要求
(1)电子技术基础部分要求全部考生必做;
(2)电磁场理论部分(A)要求报考02电磁仿真与天线、03毫米波太赫兹技术与系统方向考生必做;
(3)半导体物理部分(B)要求报考04微电子与集成电路方向考生必做;
(4)报考其他方向考生可任选A或B。
3.题型及分值安排
(1)题型:简答题和计算题。简答题包含概念题和重要数学公式及其物理意义,计算题包含数学模型、重要物理量计算、设计等。
(2)分值安排:简答题占40%,计算题占60%。
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