华南理工2011微电子复试经验分享

　　复试基本结束了，为了将攒RP继续进行下去，我把微电子复试的经验分享分享吧。复试的第一关是笔试，有半导体物理和半导体集成电路可以选，但几乎参加的同学都选了半导体物理

　　第一题是名词解释，这一次有费米能级，电导有效质量，空穴，少子。还有一个忘记了，共5个名词解释。后面有是一道让你解释杂质补偿的解释题目，还要求画能带图。然后就是一道让你说说光生伏特效应及其应用的题。接着是让你画MIS结构的三种情况并解释
，然后是一道让你画MIS结构C-V曲线的图，最后是一道推导题，我没做出来，是让推到Vs=2Vb，即形成强反型的临界条件。

　　下午是英语口语面试，这个只占10%，记得准备一个自我简介就是。大家分数差不多的。

　　第二天上午是专业面试，今年是7V1的面试。7个导师在里面，并且让你抽题回答问题。
　　我大概说说大家抽到的题、：一个是隧道击穿二极管的应用，还有单片机和可编程的区别，形成欧姆接触的方法。解释MOS管的阈值电压。大概就记得这些。

　　回答完这个问题后，老师回随机问你问题，后面有个小黑板，会让你画图。前面进去几个都让画CMOS管，也有画HBT管的。如果本科期间有项目，给导师介绍介绍，会让你非常有优势。

　　第三天结果就出来了。复试还是很重要的，和初试一样的比重，希望各位注意。这绝对不是走过场的复试。华工微电子还是非常重视的。

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