南邮电子科学与工程学院导师介绍：王伟

　　个人简介
　　王伟（1964年5月－），男，副教授。毕业于东南大学，获生物医学工程专业工学博士学位。现在南京邮电大学电子科学与 工程学院从事纳电子器件的科研教学工作，主要研究方向是纳电子器件量子输运的建模仿真。现主持一项江苏省高校自然科学研究面上项目“Graphene- based新型自旋场效应管研究（No 10KJD510006）”，另外，作为主要参加者参与一项江苏省高校自然科学研究面上项目“新型石墨烯材料结构及量子自旋霍尔效应研（No 10KJD510005）”。近年来，在国内外学术刊物上发表论文30余篇, 其中包括IEEE Transactions on Electron Devices，Solid State Electronics，Superlattices and Microstructures等国际核心期刊。

　　研究方向及主要成果
　　研究方向：纳电子学，图像处理
　　
　　近期发表的主要学术论文
　　[1]Wei Wang, Ning Gu, J.P. Sun , and P. Mazumder. Gate Current Modeling of High-k Stack Nanoscale MOSFETs. Solid State Electronics 2006, 50(9) :1489-1494. （Sci, Ei收录）
　　[2]Wei Wang, Jianhui Liao, Jianping Sun, and Ning Gu. Simulation of the electrical characteristics of a one-dimensional quantum dot array. Superlattices and Microstructures, 2008,44 (6): 721-727. （Sci, Ei收录）
　　[3]J. P. Sun, Wei Wang, Toru Toyabe, Ning Gu, and Pinaki Mazumder. Modeling of Gate Current and Capacitance in Nanoscale-MOS Structures, IEEE Transactions on Electron Devices 2006, 53(12): 2950-2957. （Sci, Ei收录）
　　[4]Wang Wei , Sun Jianping, and Gu Ning. Modeling of Gate Tunneling Current for Nanoscale MOSFETs with High-k Gate Stacks, Chinese Journal of Semiconductors , 2006, 27(7) :1170-1176. （Ei收录）
　　[5]Wei Wang, J. P. Sun, Toru Toyabe, Ning Gu, and Pinaki Mazumder. Modeling of high-k gate stack of tunnel barrier in nonvolatile memory MOS structure, IEEE nano 2008, 8th IEEE Conference on Nanotechnology, 2008: 3-5. （Ei收录）
　　[6]王伟, 黄岚, 张宇, 李昌敏, 张海黔, 顾宁, 沈浩瀛, 陈堂生, 郝丽萍, 彭力, 赵丽新. 用分子自组装技术制备的单电子器件的Monte Carlo 模拟. 物理学报, 2002, 51(1): 63-67.（Sci, Ei收录）
　　[7]王伟, 张海黔, 顾宁. 随机背景极化电荷对单电子电路影响的分析.固体电子学研究与进展, 2003, 23(1): 14-17.（Ei收录）
　　[8]王伟, 孙建平, 顾宁. 基于氧化铪的栅介质纳米MOSFET栅电流模型. 固体电子学研究与进展, 2006, 26(4): 436-440. （Ei收录）
　　[9]王伟, 孙建平, 徐丽娜 ，顾宁. 减少纳米MOS器件栅电流的研究分析. 电子器件, 2006, 29(3): 617-619. （Ei收录）
　　[10]王伟, 孙建平,顾宁. 纳米级MOSFET隧穿栅电流量子模型. 微电子学. 2006, 36(5): 622-625.
　　[11]王伟, 孙建平, 顾宁. 纳米双栅MOSFET的量子格林函数模拟. 东南大学学报, 2006, 36(6): 917-919. （Ei收录）
　　[12]王伟，孙建平，顾宁. 高k介质纳米MOSFET栅电流和电容模型. 南京邮电大学学报, 2006, 26(6): 6-10. （Ei收录）
　　[13]王伟, 孙建平,顾宁. 纳米MOS器件栅泄漏电流的模拟分析，第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议论文集，2007: 740-742.
　　[14]王伟，廖建辉，孙建平，顾宁. 一维纳米颗粒链电学特性的格林函数模拟，2007纳米和表面科学与技术全国会议论文集，2007: 79-79.
　　[15]王伟. 纳米MOS 器件的设计模型. 电气电子教学学报, 2006, 28(10): 57-60.

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