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扬州大学物理科学与技术学院导师介绍:曾祥华



  
  [12] 高亮度、大功率半导体照明技术开发,扬州华夏集成光电有限公司,2009.2-2011.12,50万元,负责人:曾祥华.
  
  [13] 江苏省企业研究生工作站-扬州华夏集成光电有限公司,江苏省教育厅,3万元,2010年,负责人:曾祥华.
  
  [14] 江苏省企业研究生工作站-江苏中显集团有限公司,江苏省科技厅/教育厅,2012年,负责人:曾祥华.
  
  [15] 江苏省企业研究生工作站-扬州扬杰电子科技股份有限公司,江苏省科技厅/教育厅,2012年,负责人:孟祥东/曾祥华.
  
  [16] 江苏省企业研究生工作站-扬州光电产品检测中心,江苏省科技厅/教育厅,2012年,负责人:曾祥华.
  
  2、专利技术
  
  1)曾祥华,张俊兵,ZL 2008 20039405.6[2009-07-01] “树形GaN基LED芯片电极”.
  
  2)曾祥华,张俊兵,ZL 2008 20039406.0[2009-06-17],“旋转形GaN基LED芯片电极”.
  
  3)曾祥华,张俊兵,ZL 2008 20039407.5 [2009-07-29],“中心环绕形GaN基LED芯片电极”.
  
  4)孟祥东,曾祥华,陈小兵,ZL 2010 2 0559163.0,用于氧化物半导体薄膜生长的水汽外延装置.
  
  3、主要论文
  
  (*为通讯作者)
  
  1) J,F. Lu, X. H. Zeng *, H.F. Liu, W. Zhang, Y. Zhang, J.Y Cui, Effects of Au catalysts for synthesis of ZnS microstructures on the sapphire substrate,Materials Letters 93 (2013) 337–340,http://dx.doi.org/10.1016/j.matlet.2012.11.120。
  
  2) W. Zhang, X.H. Zeng*, H.F Liu, J.F Lu, Synthesis and investigation of blue and green emissions of ZnS ceramics, Journal of Luminescence 134 (2013) 498–503.
  
  3) X.Y. Song, X. H. Zeng *, J.B. Zhang, Y.Z. Jin, X.D. Meng, Optoelectronic Properties of GaN-Based Light-Emitting Diodes with different Mesa Structures, Materials Sciences and Applications, 3(2012) 838-842,doi:10.4236/msa.2012.312122 .
  
  4) J,F. Lu, X.H. Zeng*, H.F.Liu,W.Zhang, Y. Zhang, Preparation and Photoluminescence of (3C-ZnS)/(2H-ZnS) Superlattice in Mn -doped ZnS Nanoribbons, J. Phys. Chem. C 116(2012) 23013-23018.
  
  5) J.F Lu, X.H. Zeng*, H.F Liu, W. Zhang, Y. Zhang, Controlled growth and photoluminescence of one-dimensional and platelike ZnS nanostructures, Applied Surface Science, 258 (2012) 8538–8541.
  
  6) H.T Chen,Y.P Hu, X.H. Zeng*, Mechanism in ZnS nanostructures,Journal of Materials Science,46 (2011)2715-2719.
  
  7) X. H. Zeng*, NianQing Jin, YuYong Teng, ShiYing Li,Oscillatory behavior of rare-gas atoms in SWCNT, J. Phys. Chem. B 110(2006) 17329-17333.
  
  8) Lei Cui, J. Zhao, Y. J. Hu, Y. Y. Teng, and X. H. Zeng*,Effect of different laser polarization direction on high order harmonic generation of N2 and H2,Appl. Phys. Lett. 89( 2006) 211103,。
  
  9) S.Y. Li, X.H. Zeng*, N.Q. Jin, H.Y. Zhang, X. Zhang,The dynamics simulation of Ne atom injected into single-wall carbon nanotube, Phys. Lett. A, 372(2008) 1303-1307.
  
  10)Y.Y Teng, Xianghua Zeng*, et al., Melting and Glass Transition for Ni Clusters, J. Phys. Chem. B 111( 2007) 2309-2312. (它引12次)
  
  11)陈宝,孟祥东,施志明,曾祥华,陈小兵, Li,Cu掺杂ZnO薄膜的发光性质, 发光学报,32( 2011)245-250.
  
  12)董雅娟,张俊兵,陈海涛,曾祥华*, Performance of power omnidirectimal reflector LED,物理学报,60(2011)077803.
  
  13)雷亮,曾祥华*,范玉佩, 张勇,GaN基蓝光LED的多量子阱结构优化, 光电子.激光, 22, No9(2011)1326-1331.
  
  14)董雅娟,张俊兵,林岳明,金豫浙,王书昶,曾祥华*,GaN基不同电极形状的LED性能比较,半导体技术,36(3)(2011)177-181.
  
  15)金豫浙,胡益培,曾祥华*, 杨义军,GaN基多量子阱蓝光LED的γ辐照效应,物理学报,59(2010)1258-1262.
  
  16)张俊兵,林岳明,范玉佩,王书昶,曾祥华*, 图形蓝宝石衬底GaN基发光二极管的研制,光电子•激光,21(2010)359-362.
  
  17)宋雪云,张俊兵,曾祥华*, 董雅娟,电极形状对GaN基LED芯片性能的影响, 物理学报,5(2010)587-593.
  
  18)王书昶, 林岳明, 李伙全, 刘剑霜, 张俊兵, 金豫浙, 曾祥华*, 用于高亮LED 的Si 键合研究,半导体技术,35(5)(2010)436-239.
  
  19)崔磊,王小娟,王 帆,曾祥华,脉冲激光偏振方向对氧分子高次谐波的影响-基于含时密度泛函理论的模拟,物理学报,59(2010)0317-05。
  
  20)李建华,曾祥华*,季正华,胡益培,陈宝,范玉佩;Electronic structure and optical properties of Ag-doping and Zn vacancy impurities in ZnS,物理学报, 60 (2011) 057101 1-7。
  
  21)张勇,曾祥华*,孟祥东,花状纳米结构ZnS:Cu的制备与光学性质研究,电子元件与材料,30(2011)No.12,30-33.
  
  22)季正华,曾祥华*,岑洁萍,谭明秋,ZnSe相变、电子结构的第一性原理计算,物理学报,59,2010,1219-1224。
  
  23)周翔,张萱,刘爱芬, 曾祥华*, FC(O)O2 的结构及其自由基与NO反应的微观机理研究, 物理学报,第59卷第7期2010年,726-732。
  
  24)崔磊,王小娟,王帆,曾祥华*,脉冲激光偏振方向对氧分子高次谐波的影响—基于含时密度泛函理论的模拟, 物理学报,第59卷第7期2010年,318-320。
  
  25)刘海平,曾祥华*,胡永金,张萱,高压下钒的结构相变研究,原子核评论,26,2009,59-62.
  
  26)赵江,崔磊,曾祥华*,徐秀莲,FC(O)O自由基与NO反应机理的理论研究,物理学报,57(2008)7349-7353。
  
  27)张萱,曾祥华*,夏炜炜,胡永金,刘海平,Sr2YRuO6有序双钙钛矿结构及其Mott绝缘体的研究,中国稀土学报,25(2007)20-23.
  
  28)胡永金,崔磊,赵江,滕玉永,曾祥华*,谭明秋,高压下ZnS的电子结构和性质,物理学报,Vol.56(2007)4079, No.7.
  
  29)金年庆,滕玉永,顾斌,曾祥华*,稀有气体原子注入缺陷性纳米碳管的分子动力学模拟,物理学报,56,56(2007)1494.
  
  30)金年庆,张海燕,李世影,曾祥华*,稀有气体原子在纳米碳管中的周期性振荡,物理学报,56(2007)384.

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