2015年南开大学085209集成电路工程考研大纲

　　考研网快讯，据南开大学研究生院消息，2015年南开大学集成电路工程考研大纲已发布，详情如下：

　　《半导体物理》（822）考试大纲
　　<!--[if!supportLists]-->一．<!--[endif]-->半导体中的电子状态
　　１.原子中的能级和固体中的能带
　　电子的共有化运动；能带的形成；sp3轨道杂化
　　２.半导体中的电子状态和能带
　　波函数特性；E(k)~k关系及布里渊区；k空间概念及其态密度；Si，Ge，GaAs的第一布里渊区
　　３.半导体中电子的运动
　　共有化运动速度；加速度；电子的有效质量；半导体、绝缘体和导体的区别
　　４.空穴
　　空穴的定义；空穴的特征参数
　　５常见半导体的等能面和能量极值
　　k空间等能面；多极值情况
　　６.GeSiGaAs的能带
　　导带结构；价带结构
　　７.杂质和杂质能级
　　杂质存在方式；杂质能级；杂质补偿；等电子杂质；Ⅲ-Ⅵ族化合物中的杂质
　　<!--[if!supportLists]-->二．<!--[endif]-->热平衡载流子浓度
　　１.分布函数
　　费米分布；玻尔兹曼分布
　　２.状态密度
　　能量态密度函数
　　３.平衡载流子浓度公式（非简并）
　　电子和空穴浓度；浓度积np
　　４.本征半导体的载流子浓度与费米能级
　　５.杂质半导体的载流子浓度与费米能级
　　电子在杂质能级上的分布；不同温度区间的n,p和Ef
　　６.杂质补偿半导体的载流子浓度
　　７.简并半导体
　　简并半导体概念；简并条件
　　<!--[if!supportLists]-->三．<!--[endif]-->弱场下载流子的运动
　　１.载流子的散射和迁移率
　　漂移速度，迁移率，电导率；平均自由时间，散射几率
　　２.散射机构
　　晶格振动；晶格散射；电离杂质散射
　　３.迁移率；电导率
　　μ~τ的关系；σ~τ的关系；电导有效质量；迁移率，电导率与Ni和温度T的关系
　　４.霍耳效应
　　霍耳系数；霍耳角；两种载流子同时导电时的霍耳效应；霍耳效应的实际应用
　　６.磁阻现象
　　物理磁阻；几何磁阻
　　７.电导，霍耳效应的统计分布
　　玻尔兹曼方程；弱场情况的分布函数；球形等能面半导体的电导率；霍耳系数的统计
　　<!--[if!supportLists]-->四．<!--[endif]-->非平衡载流子及其复合
　　１.非平衡载流子的产生
　　非平衡态；非平衡载流子的复合和寿命；准费米能级
　　２.平衡载流子的扩散运动
　　扩散电流；非平衡载流子的扩散分布
　　３.非平衡载流子的漂移电流和扩散电流
　　非平衡载流子的漂移和扩散；爱因斯坦关系
　　４.电流连续性方程
　　５．非平衡载流子的复合过程
　　直接复合；间接复合；表面复合；俄歇复合；陷阱效应
　　<!--[if!supportLists]-->五．<!--[endif]-->P-N结
　　１.P-N结的结构
　　２.平衡P-N结的特性
　　空间电荷区；内建电场；能带，费米能级；P-N结接触电势差；势垒区的载流子分布
　　３.P-N结的电场和电位分布及势垒区宽度
　　突变结势垒区的电场，电位；线性缓变结势垒区的电场，电位
　　４.P-N结的电流电压特性
　　非平衡P-N结的变化；理想P-N结电流电压方程；P-N结偏离理想方程的因素（势垒区的产生电流；势垒区的复合电流；正向大注入效应；实际的I-V曲线）
　　５.P-N结电容
　　势垒电容；扩散电容
　　６.P-N结击穿
　　雪崩击穿；隧道击穿；热击穿
　　７.异质结
　　理想异质结的能带图；电势，结宽和电容；界面态的影响
　　<!--[if!supportLists]-->六．<!--[endif]-->半导体表面
　　１.表面电场效应
　　表面电荷的五种状态
　　２.表面空间电荷区的电场，电势，电容
　　３.理想MOS结构的C（V）特性
　　４.实际MOS结构的C（V）特性
　　金属与半导功函数差的影响；氧化层固定电荷的影响；可动电荷的影响；界面态的影响
　　５.金属半导体接触
　　理想肖特基模型；巴丁模型；肖特基势垒的整流特性；肖特基结特点；欧姆接触
　　<!--[if!supportLists]-->七．<!--[endif]-->半导体的光学性质
　　1．本征吸收
　　直接跃迁吸收；间接跃迁吸收；激子吸收；自由载流子吸收；杂质吸收；晶格吸收
　　２.半导体的光电导
　　定态光电导；光电导的弛豫
　　３.半导体光生伏特效应
　　４.半导体发光
　　辐射复合跃迁；非辐射复合跃迁
　　５.半导体激光
　　半导体受激发射的条件；P-N结激光器
　　<!--[if!supportLists]-->八．<!--[endif]-->强电场效应
　　１.强电场下的非线性电导
　　热载流子，晶格温度；非线性电导
　　２.表面量子化
　　３.半导体超晶格和多量子井

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