2019年华中科技大学光学与电子信息学院考研复试科目考试范围

　　《单片机原理》考试范围

　　参考书：

　　胡乾斌，《单片微型计算机原理与应用》，2006年，华中科技大学

　　考试范围：

　　第一章：概述1.1—1.4，1.6

　　重点：计算机中的数和编码

　　第二章：单片机的内部结构

　　重点：2.2CPU

　　2.5MCS-51的存储器结构

　　第三章：指令系统

　　重点：3.2寻址方式

　　3.3.1数据传送

　　3.3.2算术运算

　　3.3.4控制转移

　　第四章：汇编语言程序设计

　　重点：4.2.3分支程序

　　4.2.4循环程序

　　第五章：存储器5.1，5.4，5.5

　　重点：存储器的扩展

　　第六章：中断系统6.16.2

　　重点：基本概念和应用

　　第八章：定时器/计数器

　　8.1MCS-51的定时器

　　第九章中的9.1节

　　《光电技术》考试范围

　　教材：江文杰，曾学文，《光电技术》，科学出版社，2009。第一版

　　考试范围：1-10章，

　　重点复习第一章1.1&1.3、第二章2.1、三～六章、第7章7.3、第8章8.1～8.3、第9章9.1～9.2、第10章10.2～10.3内容。

　　《激光技术》考试范围

　　参考书：《激光技术》第二版，蓝信钜等编，科学出版社，2005.1

　　考试范围：第一章激光调制与偏转技术

　　第二章调Q(Q开关技术)

　　第四章激光放大技术

　　《微电子器件与IC设计》考试范围

　　1.教材：《微电子器件与IC设计基础》，刘刚等编，第二版

　　2.考试内容：

　　第二章PN结的基本概念和公式

　　第三章双极晶体管

　　第五章MOSFET

　　其中，第三章和第五章是重点。

　　《电子材料物理》考试范围

　　一、考试内容

　　考试内容包括：电子材料的结构、缺陷与相变；材料的电导性质；材料的介电性能；材料的磁学性能；材料的光学性质。

　　二、参考书目：

　　吕文中汪小红范桂芬《电子材料物理》（第二版），科学出版社

　　三、考查要点

　　1电子材料的结构、缺陷与相变

　　晶体的结构与对称性、典型晶体的结构、鲍林规则、晶体场理论、点缺陷的形成、缺陷扩散机制、缺陷反应方程式、固溶体、相变、相律、相图。

　　2材料的电导性质

　　电子电导、离子电导的概念、特点、影响因素及计算，界面、表面效应

　　3材料的介电性质

　　材料的极化类型与特点，克劳修斯-莫索缔方程，德拜方程、自发极化、电滞回线、铁电体、压电效应与热释电效应

　　4材料的磁学性质

　　磁性的起源，磁性的分类与特点，磁矩及饱和磁化强度的计算，磁畴、磁滞回线，静态磁化与动态磁化，旋磁性与铁磁共振，磁电效应、磁光效应

　　5材料的光学性质；

　　光与物质的相互作用，物质的折射率与色散，介质的透光性，材料中的光发射，介质中的光学效应