2013年复旦大学070201理论物理考研大纲

　　考研网快讯，据复旦大学研究生院消息，2013年复旦大学理论物理考研大纲已发布，详情如下：
　　《半导体器件原理》
　　包括半导体器件的物理基础，双极型和MOS场效应晶体管的工作原理、特性和模型，以及影响器件特性的主要因素和一些常见非理想效应。
　　考试题型：选择题、名词解释、推导题、计算题
　　总分：150分
　　一．半导体的电子状态
　　1.半导体的晶体结构、晶列晶面指数、结合性质
　　2.半导体中的电子状态和能带
　　3.载流子在外场下的运动规律
　　4.杂质和缺陷能级
　　二．半导体的载流子统计
　　1.状态密度和统计分布函数
　　2.本征半导体、杂质半导体、简并半导体的统计
　　三．半导体的载流子输运
　　1.载流子的散射
　　2.迁移率、电阻率与杂质浓度和温度的关系
　　3.强电场下的输运
　　4.霍耳效应
　　四．非平衡载流子
　　1.非平衡载流子的直接复合与间接复合
　　2.陷阱效应
　　3.载流子的扩散运动、双极扩散
　　4.连续性方程
　　五．pn结、金半接触以及异质结
　　1.平衡pn结的特性
　　2.pn结的电流-电压特性
　　3.pn结的势垒电容与扩散电容
　　4.pn结的频率特性和开关特性
　　5.pn结的击穿
　　6.金半接触能带图以及电流-电压特性
　　7.欧姆接触
　　8.异质结能带图以及二维电子气
　　六．双极型晶体管的直流特性
　　1.双极型晶体管的基本原理
　　2.双极型晶体管的直流特性及其非理想现象
　　3漂移晶体管的直流特性
　　4.双极型晶体管的反向特性
　　5.Ebers-Moll方程
　　七．双极型晶体管的频率特性与开关特性
　　1.低频小信号等效电路
　　2.放大系数的频率特性以及相关的几个时间常数
　　3.高频等效电路
　　4漂移晶体管、异质结双极型晶体管的基本原理
　　5.电荷控制理论与双极型晶体管开关时间
　　八．半导体表面与MOS结构
　　1.半导体表面空间电荷层的性质
　　2.实际Si-SiO2界面
　　3.理想与实际MOS结构的C-V特性
　　九．MOS场效应晶体管的直流特性
　　1.MOSFET的结构和工作原理
　　2.MOSFET的阈值电压以及影响因素
　　3.MOSFET的输出特性和转移特性（包括亚阈值特性和其它二级效应）
　　4.MOSFET的直流参数
　　5.MOSFET的击穿特性
　　6.MOSFET的小尺寸效应原理
　　7.载流子速度饱和以及短沟道MOSFET的直流特性
　　8.MOSFET的按比例缩小规律
　　十．MOSFET的频率特性与开关特性
　　1.MOSFET的交流小信号等效电路
　　2.MOSFET的高频特性
　　3.常见MOS倒相器及其开关特性

　　电磁场与电磁波大纲
　　考试题型：问答题，分析计算题。
　　第一部分静态电磁场
　　一、静态电磁场
　　静电场、恒定电场、恒定磁场的基本规律：
　　掌握电荷守恒定律、安培环路定律、法拉第电磁感应定律。
　　掌握Maxwell方程、静态电磁场的边界条件。
　　静态电磁场的边值问题：
　　掌握波动方程、边值问题、唯一性定理。
　　掌握分离变量法：直角坐标系中的分析计算。
　　掌握镜像法，包括导体平面、介质平面、导体球面模型的分析和计算。
　　第二部分电磁波
　　二、时谐电磁场与平面电磁波
　　掌握时谐场的复数形式、复Maxwell方程、Poynting矢量和Poynting定理
　　掌握理想介质和导电媒质中平面电磁波的传播特性。
　　掌握电磁波的极化，能根据表达式分析极化特性。
　　掌握电磁波的反射与透射：导体和介质分界面，垂直入射和斜入射情况。
　　三、导行电磁波
　　能分析矩形波导传播特性。
　　四、电磁辐射与天线
　　掌握滞后位的概念。
　　掌握电偶极子的辐射：近区场与远区场的基本性质。
　　了解天线的基本参数：方向图、增益、输入阻抗、带宽、极化。
　　了解对称振子天线的辐射：辐射场的计算、辐射方向图。
　　了解天线阵：方向性相乘原理、均匀直线阵的辐射。
　　掌握口面天线：惠更斯面与等效原理、矩形口面辐射。

　　《电路与系统基础》专业课程考试大纲
　　第一部分电子电路
　　考试题型：概念问答题、计算题
　　总分：100分
　　一、基本放大电路
　　晶体管单管放大器：
　　估算直流工作点，估算放大器的增益、输入阻抗、输出阻抗、频率特性；
　　三种接法放大器主要性能指标的异同，能够在不同场合正确选择合适的电路。
　　场效应管单管放大器：
　　估算直流工作点，估算放大器的增益；
　　差分放大器：
　　估算直流工作点，估算放大器的增益、输入阻抗、输出阻抗；
　　共模抑制比的概念以及估算方法。
　　互补输出电路：
　　工作原理和电路特点；产生交越失真的原因以及消除方法。
　　多级放大器：
　　估算多级放大器的增益、输入阻抗、输出阻抗、频率特性。
　　二、负反馈
　　反馈的基本概念：
　　正确判断反馈的正负极性；正确判断直流反馈与交流反馈；正确判断四种不同的负
　　反馈组态；四种不同负反馈组态的电路特点及其对电路性能产生影响的比较；根据
　　需要在电路中引入合适的反馈形式。
　　深度负反馈放大器：
　　深度负反馈概念；计算深度负反馈放大器的增益、输入阻抗、输出阻抗。
　　负反馈放大器的稳定性：
　　负反馈放大器产生自激振荡的原因，消除振荡的方法。
　　三、集成运算放大器及其应用基础
　　集成运放的主要性能参数：
　　差模增益、共模增益、共模抑制比、输入失调、单位增益带宽、转换速率。
　　基于集成运放的线性电路的基本分析：
　　理想运放概念以及基本分析方法：虚短路虚开路法；
　　基于集成运放的线性应用电路的电压传递函数；
　　典型应用电路分析。