2015年大连理工大学080900电子科学与技术考研大纲（官方）

　　考研网快讯，据大连理工大学研究生院消息，2015年大连理工大学080900电子科学与技术考研大纲（官方）已发布，详情如下：

　　大连理工大学2015年硕士研究生入学考试大纲

　　科目代码：805 科目名称：半导体物理

　　试题分为简答题和分析题，其中简答题占33%，分析题(计算题、简单的推导、证明或画图题)占67%，具体复习大纲如下：

　　一、晶体结构

　　1、晶体结构的周期性和晶格的对称性.

　　2、布拉伐格子和倒格子.

　　3、常见半导体的晶体结构.

　　二、晶格振动和晶格缺陷

　　1、一维原子链和三维晶格中的原子振动.

　　2、玻恩/卡门边界条件和布里渊区.

　　3、晶格中的缺陷和杂质.

　　三、半导体中的电子状态

　　1、电子的运动状态和能带.

　　2、价带、导带、禁带和载流子.

　　3、杂质能级和杂质补偿效应.

　　四、半导体中载流子的统计分布

　　1、状态密度及费密分布函数.

　　2、导带电子密度和价带空穴密度.

　　3、本征半导体、杂质半导体和简并半导体.

　　五、半导体中的电导现象和霍耳效应

　　1、载流子散射.

　　2、电导现象和霍耳效应.

　　六、非平衡载流子

　　1、非平衡载流子的产生和复合.

　　2、连续性方程.

　　3、非平衡载流子的扩散与漂移.

　　七、半导体的接触现象

　　1、金属/半导体接触的整流现象.

　　2、pn结及其整流现象.

　　3、异质结.

　　八、半导体表面

　　1、表面态与表面空间电荷区.

　　2、表面场效应现象和MIS结构.

　　3、MOS的电容/电压特性.