2015年长春理工大学085209集成电路工程考研大纲

　　考研网快讯，据长春理工大学研究生院消息，2015年长春理工大学085209集成电路工程考研大纲已发布，详情如下：

　　《半导体物理》课程考试大纲
　　一、适用专业：
　　集成电路工程
　　二、参考书目：
　　1．刘恩科朱秉升编，半导体物理学，国防工业出版社
　　三、考试内容与基本要求：
　　第一章绪论
　　[考试要求]
　　本章要求学生掌握本课程研究的对象和内容，了解半导体材料及器件的应用，了解本课程的基本要求；了解与半导体晶体相关的概念，重点掌握倒格子、布里渊区的概念，重点了结晶体中的缺陷、晶格振动和晶体中的电子运动。
　　[考试内容]
　　①晶格、格点、基矢、布里渊区、倒格子等概念
　　②晶体中的缺陷、晶格振动
　　③晶体中的电子运动
　　第二章半导体中的电子状态
　　[考试要求]
　　本章要求学生掌握电子、空穴和有效质量的概念，重点了解和掌握半导体的能带结构，了解半导体中的杂质和缺陷能级。
　　[考试内容]
　　①电子、空穴和有效质量的概念
　　②能带论，并用能带理论解释半导体物理学中的一些现象
　　③常用半导体的能带结构
　　④半导体中的杂质和缺陷
　　第三章热平衡状态下载流子的统计分布
　　[考试要求]
　　本章要求学生掌握状态密度及费米能级的概念，掌握热平衡状态下本征半导体及杂质半导体的载流子浓度，了解非简并情况下费米能级和载流子浓度随温度的变化。
　　[考试内容]
　　①状态密度及费米能级的概念以及它们的表达式
　　②热平衡状态下本征及杂质半导体的载流子浓度
　　③非简并情况下费米能级和载流子浓度随温度的变化
　　④简并半导体
　　第四章载流子的漂移和扩散
　　[考试要求]
　　本章要求学生掌握半导体中载流子的各种散射机制，了解电阻率和迁移率与杂质浓度和温度的关系，掌握载流子的扩散和漂移运动、爱因斯坦关系。
　　[考试内容]
　　①半导体中载流子的各种散射机制
　　②电导率和迁移率
　　③电阻率和迁移率与杂质浓度和温度的关系
　　④载流子的扩散和漂移运动，爱因斯坦关系
　　⑤强电场效应，热载流子
　　第五章非平衡载流子
　　[考试要求]
　　本章要求学生掌握非平衡载流子的注入与复合，了解各种复合理论，连续性方程。
　　[考试内容]
　　①非平衡载流子的注入与复合
　　②各种复合理论
　　③连续性方程
　　第六章p-n结
　　[考试要求]
　　本章要求学生掌握p-n结概念及其能带图，掌握理想p-n结的电流电压关系，了解p-n结电容，了解实际p-n结的电流电压关系、p-n结击穿、p-n结隧道效应等。
　　[考试内容]
　　①p-n结及其能带图
　　②理想p-n结的电流电压关系
　　③实际p-n结的电流电压关系、p-n结击穿
　　④p-n结电容
　　⑤p-n结隧道效应隧道结
　　第七章金属和半导体接触
　　[考试要求]
　　本章要求学生掌握金属半导体接触的能带图及其电流电压关系，了解欧姆接触和肖特基势垒。
　　[考试内容]
　　(1)学习要求
　　①金属半导体接触的能带图及其电流电压关系
　　②欧姆接触
　　③肖特基势垒
　　第八章半导体表面与MIS结构
　　[考试要求]
　　本章要求学生掌握表面态和表面电场效应，了解MIS结构及应用。
　　[考试内容]
　　①半导体表面能带和空间电荷区
　　②MIS结构及应用
　　第九章半导体的光、热效应
　　[考试要求]
　　本章要求学生了解半导体的光电导和光生伏特效应及它们的应用，了解半导体激光，了解半导体的热电效应及其应用。
　　[考试内容]
　　①半导体的光电导和光生伏特效应及其应用
　　②半导体的热电效应及其应用
　　第十章半导体的磁效应
　　[考试要求]
　　本章要求学生了解霍尔效应及其应用，了解半导体的磁阻效应。
　　[考试内容]
　　①霍尔效应及其应用
　　《集成电路工艺原理》考试大纲
　　一、适用专业：
　　集成电路工程
　　二、参考书目：
　　1.关旭东.硅集成电路工艺基础.第一版.北京：北京大学出版社（2003.10）
　　三、考试内容与基本要求：
　　第一章
　　内容：
　　硅的晶体结构及半导体材料制备方法。
　　要求：
　　掌握基本概念及半导体材料制备工艺流程。
　　第二章
　　内容：
　　晶体管工艺结构、集成电路工艺结构、集成电路平面工艺流程。
　　要求：
　　掌握器件结构图及主要工艺过程。
　　第三章
　　内容：
　　SiO2的结构及性质及氧化工艺原理。
　　要求：
　　掌握基本概念及工艺流程，氧化层厚度计算。
　　第四章
　　内容：
　　扩散系数与扩散方程、扩散工艺与设备。
　　要求：
　　掌握基本概念及工艺流程，扩散结深的计算。
　　第五章
　　内容：
　　硅气相外延的基本原理、杂质分布、外延工艺过程及设备。
　　要求：
　　掌握基本概念及工艺流程。
　　第六章
　　内容：
　　离子注入工艺原理。
　　要求：
　　掌握基本工艺流程、注入结深与杂质分布等的计算。
　　第七章
　　内容：
　　光刻工艺流程、光刻胶属性及曝光技术。
　　要求：
　　掌握基本工艺流程及主要曝光技术。
　　第八章
　　内容：
　　光刻掩模版制备工艺原理及掩模版制备工艺过程。
　　要求：
　　掌握工艺原理及工作流程。
　　《电子线路》课程考试大纲
　　一、适用专业：
　　集成电路工程
　　二、考试内容
　　1、基本放大电路
　　1)晶体管与场效应管
　　a)晶体管的类型、结构与工作原理
　　b)场效应管的类型、结构与工作原理
　　2)晶体管单管放大电路
　　a)晶体管的静态工作点估算
　　b)晶体管的交流小信号等效模型
　　c)共射放大电路的动态分析
　　d)带发射极电阻的共射放大电路的动态分析
　　e)共集放大电路的动态分析
　　f)共基放大电路的动态分析
　　3)场效应管单管放大电路
　　a)场效应管的静态工作点估算
　　b)场效应管的交流小信号等效模型
　　c)场效应管放大电路的动态分析
　　2、多级放大电路与集成放大电路
　　1)多级放大电路
　　a)多级放大电路的结构
　　b)级间耦合方式
　　c)多级放大电路的动态分析
　　2)电流源电路
　　a)基本电流源电路
　　b)其他电流源电路
　　3)差分放大电路
　　a)基本电路结构与特性
　　b)差分放大电路的四种接法
　　c)带电流源偏置电路的差分放大电路
　　d)带电流源负载电路的差分放大电路
　　4)互补输出级电路
　　a)基本电路
　　b)交越失真及其消除方法
　　5)集成运放
　　a)集成运放的结构与特点
　　b)集成运放的性能指标
　　3、负反馈放大电路
　　1)反馈的判断
　　a)反馈的基本概念
　　b)反馈的判断
　　2)负反馈电路的四种基本组态
　　a)四种基本组态
　　b)反馈组态的判断
　　3)负反馈电路的特性
　　a)四种基本组态的信号特征
　　b)负反馈对于电路特性的影响
　　4)深度负反馈电路和集成运放的运用
　　a)深度负反馈电路的分析
　　b)用集成运放构成的深度负反馈电路
　　4、放大电路的频率特性
　　1)晶体管与场效应管的高频等效模型
　　a)晶体管的高频等效模型
　　b)场效应管的高频等效模型
　　2)单管放大电路的频率响应
　　a)单管共射放大电路的频率响应
　　b)单管共源放大电路的频率响应
　　c)单管共集放大电路和共基放大电路的频率响应
　　d)不同接法的放大电路的频率响应比较
　　3)集成运放的稳定性与频率补偿
　　a)集成运放的频率响应
　　b)负反馈放大电路的稳定性
　　c)集成运放的频率补偿
　　5、组合逻辑电路
　　1)逻辑代数基础
　　a)逻辑代数的基本公式和基本定理
　　b)逻辑函数的标准表示方法
　　c)逻辑函数的卡诺图化简
　　2)组合逻辑电路的分析与设计
　　a)组合逻辑电路的分析方法
　　b)组合逻辑电路的设计方法
　　3)常用的组合逻辑电路
　　a)加法器
　　b)编码器和译码器
　　4)组合逻辑电路中的竞争-冒险现象
　　a)组合逻辑电路中的竞争-冒险现象的成因及其判别
　　b)组合逻辑电路中的竞争-冒险现象的消除
　　6、触发器及其简单应用
　　1)四种基本触发器
　　a)触发器的结构
　　b)四种触发器的逻辑功能
　　c)四种触发器之间的相互转换
　　2)寄存器和移位寄存器
　　a)寄存器
　　b)移位寄存器
　　3)异步计数器
　　a)异步二进制计数器
　　b)移位寄存器型计数器
　　6、时序逻辑电路
　　1)时序电路模型
　　a)两种时序电路的模型
　　2)同步时序电路的分析
　　a)状态机
　　b)同步时序电路分析
　　3)同步时序电路的设计
　　a)状态的构造
　　b)同步时序电路设计
　　4)异步时序电路的分析
　　a)异步时序电路的分析
　　b)异步时序电路中的竞争-冒险现象
　　5)异步时序电路的设计
　　a)异步时序电路设计的一般过程
　　b)异步时序电路设计的例子

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