扬州大学物理科学与技术学院导师介绍：胡经国

　　导师简历：
　　
　　胡经国，教授，博士, 硕士生导师。 1983.9 -1987.6苏州大学物理系物理学专业获理学学士； 1987.8 -1989.7苏州大学物理系理论物理专业硕士研究生；1999.8-2002.6南京大学物理系获理论物理专业博士学位；2005.4 -2006.5澳大利亚西澳大学物理学院访问学者。1989.7 -1998.8扬州大学工学院助教、讲师；1998.9-至今 扬州大学副教授、教授。2002年扬州大学优秀青年骨干教师；2006年扬州大学新世纪学术带头人；2007年扬州大学课堂教学质量一等奖。先后在 PRB, APL等国内外著名学术期刊上发表SCI收录论文五十余篇，近期主持完成了国家理论物理专款项目“磁性多层膜交换藕合及其相关物理效应”和主要参加完成了 国家973第二课题“自旋阀及相关电子材料的机制及应用研究”项目子课题等。
　　
　　主要研究领域：
　　
　　1）磁性多层膜中的磁电、磁光性质特征及其应用研究；
　　
　　2）复杂系统中的统计物理学及其模拟研究。
　　
　　招收研究生的专业方向：
　　
　　1）凝聚态物理（光电材料设计与计算物理学方向）；
　　
　　2）无线电物理（自旋电流输运与微器件设计方向）
　　
　　3）理论物理（大气物理方向）。
　　
　　已有的研究工作：
　　
　　1）铁磁/反铁磁双层膜中的交换交换偏置场、矫顽场
　　
　　采用微磁学理论与Monte-Carlo模拟方法，系统地讨论了铁磁层/反铁磁层双层膜系统中自旋共振谱、交换偏置场、矫顽场与外磁场（包括冷 场）、薄膜的界面微结构、层间界面耦合、反铁磁层颗粒粒径大小、分布以及初态磁各向异性取向、晶格失配诱发的张（应）力场以及薄膜的相关磁参量等之间的关 系。从系统的微观磁畴结构的形成与演变层面上解释了该系统出现正、负交换偏置场及其阻截效应、温度关系、自旋波共振场的非线性移动等的物理机制，揭示了晶 格失配诱发的张（应）力场对系统交换偏置现象的影响及其可能的应用等，得到了审稿专家的高度评价。[J. Appl. Phys. 108, 033916 （2010）; J. Appl. Phys. 106, 093910 （2009）; Eur. Phys. J. B 40, 265 （2004）; J. Appl. Phys. 94, 2529 （2003）; J. Appl. Phys. 92, 1009 （2002）; J. Appl. Phys. 91, 2180 （2002）等]，单篇论文[Eur. Phys. J. B 40, 265 （2004）]已被他人引用近二十次。
　　
　　2）铁磁半导体/超导/铁磁半导体异质结中的隧穿电流
　　
　　研究了铁磁/磁性半导体/铁磁三层膜中的巨磁阻效应，系统地讨论了其参量关系，发现其磁电阻虽然随温度升高而减小，但它明显地不同于正常金属电 阻随温度的关系；分析了铁磁/磁性掺杂半导体/铁磁三层膜中自旋极化电荷输运规律，弄清了其能级分裂、费米能级、磁空穴浓度等与温度的变化关系，进而归纳 了其磁电阻随温度的关系。为优化以巨磁阻效应为主要工作原理的磁感应介质的应用提供了翔实可靠的理论指导[Phys. Lett. A 372, 5361 （2008）, Phys. Rev. B72, 165329 （2005）; J. Appl. Phys. 96, 498 （2004）; Eur. Phys. Lett. 79, 24007 （2007）等]，已经被他人引用三十余次。
　　
　　3）受限磁性薄膜中的自旋波激发特征
　　
　　对金属铁磁磁条、磁条阵列等系统中平行磁矩传播的非稳定阈值极限性质进行了研究，得到了边界、界面受限制的磁系统中磁激 发的量子化可导致多个截止微波磁场极限值的出现，并且，随着磁条宽度的增加，其极限值发生不连续的变化；讨论了磁条阵列间的交换耦合作用对平行磁矩传播的 非稳定阈值性质的影响；静磁相互作用使得在极限曲线扭结处出现了二级精细结构，这个效应可以被用来精确测量图纹磁材料中的微波损耗并和相关的实验进行了比 较[Phys. Rev. B 76, 054422 （2007）; Appl. Phys. Lett. 90, 012507 （2007）等]，单篇论文[Phys. Rev. B 76, 054422 （2007）]已被他人引用三十余次。
　　
　　承担的课题：（限五项）
　　
　　1）受限的铁磁/反铁磁双层膜中的磁畴动力学行为与其磁化特性，国家自然资金面上项目（编号：10974170，32万，2010.01-2012.12，负责人）；
　　
　　2）极端天气气候事件的检测和可预测性关键技术研究，国家科技部科技支撑计划项目子课题（编号：2007BAC29B01-4，30万，2008.01-2011.12，负责人）；
　　
　　3）磁性多层膜中的磁电性质，教育部国际合作与交流司项目（编号2007WL001，2+2万元，2007.6 -2010.6，负责人）
　　
　　4）磁性多层膜交换藕合及其相关物理效应，国家自然资金理论物理专款项目（编号10347118，2+1万元，2004.1 -2004.12，负责人）
　　
　　5）铁磁/反铁磁双层膜、多层膜的交换各向异性与界面微结构，省教育厅高校自然资金项目（编号06KJB140133，3万元，2005.10 -2007.12，负责人）
　　
　　代表性论文：（限15篇）
　　
　　（1） J. G. Hu, G. J. Jin, and Y. Q. Ma, “Ferromagnetic Resonance and Exchange Anisotropy in Ferro- magnetic/Antiferromagnetic Bilayers”, J. Appl. Phys. 91, 2180 （2002）；
　　
　　（2） J. G. Hu, G. J. Jin, and Y. Q. Ma, “Angular and Thickness Dependencies of Exchange Bias in Ferromagnetic/Antiferromagnetic Bilayers”, J. Appl. Phys. 92, 1009 （2002）；
　　
　　（3） J. G. Hu, G. J. Jin, and Y. Q. Ma, “Thickness Dependencies of Exchange Bias and coercivity in Ferromagnetic Layer Coupled with an Antiferromagnet”, J. Appl. Phys. 94, 2529 （2003）；
　　
　　（4） J. G. Hu, G. J. Jin, A. Hu, and Y. Q. Ma,“Temperature dependence of exchange bias and coercivity in ferromagnetic/antiferromagnetic bilayers”, Eur. Phys. J. B 40, 265 （2004）；
　　
　　（5） J. G. Hu, G. J. Jin, R. L. Stamps, and Y. Q. Ma, “Measurement of exchange anisotropy in ex- change-bias bilayers”, J. Magn. Magn. Mater 301, 238 （2006）；
　　
　　（6） Y. C. Tao, J. G. Hu, and H. Liu, “Spin-poalrized transport in diluted GaMnAs/AlAs/GaMnAs ferro- magnetic semiconductor tunnel junctions”, J. Appl. Phys. 96, 498 （2004）；
　　
　　（7） Y. C. Tao and J. G. Hu, “Coherent transport and Andreev reflection in ferromagnetic semicondoctor/sup- erconductor/ferromagnetic semiconductor double tunneling junctions”, Phys. Rev. B 72, 165329 （2005）；
　　
　　（8） J. Pan and J. G. Hu,“Ferromagnetic resonance in ferromagnetic/antiferromagnetic bilayers under the stress field”, Phys. Lett. A 358, 236 （2006）；
　　
　　（9） M. Kostylev, J. G. Hu, and R. L. Stamps, “Confinement quantization of pump instability threshold in a metallic ferromagnetic stripe”, Appl. Phys. Lett. 90, 012507 （2007）；
　　
　　（10） Y. C. Tao and J. G. Hu, “Incoherent spin-polarized transport and spin accumulation in ferromagnetic/se- miconductor/superconductor/ferromagnetic semiconductorjunctions”, Eur. Phys. Lett. 79, 24007 （2007）；
　　
　　（11） Y. C. Tao, J. G. Hu, “Proximity effect in ferromagnetic semiconductor/superconductor junction”, J. Appl. Phys. 104, 063903 （2008）；
　　
　　（12） M. Kostylev, G. Gubbiotti, J. G. Hu, G. Carlotti, and R. L. Stamps, “Dipole-exchange propagating spin-wave modes in metallic ferromagnetic stripes”, Phys. Rev. B 76, 054422 （2007）；
　　
　　（13） L. Cai, Y. C. Tao, J. G. Hu, and G. J. Jin, “Effect of Rashba spin-orbit coupling on the spin-polarized transport in ferromagnet/semiconductor double tunnel junctions”，Phys. Lett. A 372, 5361 （2008）；
　　
　　（14） X Y Xu, Li M, J G Hu, J Dai, W W Xia, “Strain-induced magnetoresistance for novel strain sensors”, J. Appl. Phys. 18 033916 （2010）；
　　
　　（15） X Y Xu, H Y Tian, X Qian, J G Hu，“The cooling field and the exchange bias in ferromagnet/ antiferromagnet bilayers”, J. Appl. Phys. 106 093910 （2009）；
　　
　　联系方式：
　　
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