东北师范大学博士研究生导师介绍：刘益春

姓　　名：刘益春性别：男出生年月：1963-1-24工作单位：东北师范大学所在院系：物理学院职称：教授行政职务：招生专业：070205凝聚态物理研究领域：先进薄膜制备技术生长具有紫外发射光电子功能的高质量ZnO量子点、量子阱、纳米管材料

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佚名

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2005-09-17

姓　　名：	刘益春	性别：	男
出生年月：	1963-1-24	工作单位：	东北师范大学
所在院系：	物理学院	职称：	教授
行政职务：		招生专业：	070205凝聚态物理
研究领域：	先进薄膜制备技术生长具有紫外发射光电子功能的高质量ZnO量子点、量子阱、纳米管材料，开展材料的物性与器件研究	是否兼职：	否
指导博士生总数：		指导硕士生总数：
目前博士生数：		目前硕士生数：

　　个人简介

　　【个人情况综述】
　　东北师范大学物理学院教授, 理学博士, 博士生导师；中国科学院百人计划学者，中国科学院研究生院教授；教育部跨世纪优秀人才，2000年获国务院政府特殊津贴，2001年度全国模范教师；1999年首届吉林省杰青；2003年获中国科学院优秀百人计划；2005年获吉林省高级专家。中国科学院长春光学机密机械与物理研究所学位委员会委员。中国物理学会发光专业委员会常委，中国光学学会纤维光学与集成光学专业委员会委员，吉林省物理学会凝聚态专业委员会副主任委员，吉林省人民政府政务信息化咨询专家组成员，吉林省信息产业厅顾问；《发光学报》副主编，《物理实验》杂志副主编；《人工晶体学报》杂志编委。《中国物理快报》特约评审，美国《物理化学杂志》、美国《材料研究杂志》、荷兰《晶体生长杂志》、荷兰《应用物理杂志》、《高校化学学报》、《中国光学快报》等杂志审稿人。2000年6月起任物理系教授委员会主任，2003年5月任物理系系主任，兼任东北师范大学光电子功能材料研究中心主任。2004年1月，任东北师范大学副校长。主要从事宽带隙II-VI光电子功能材料与器件的研究工作。
　　【学习工作简历】
　　1981—1985：东北师范大学物理系学习，获理学学士学位。
　　1985—1988：中科院长春光学精密机械与物理研究所（原长春物理所）凝聚态物理专业学习，获理学硕士学位。
　　1988—现在：东北师范大学物理系工作。
　　1992—1995：中科院长春光学精密机械与物理研究所（原长春物理所）与意大利都灵工业大学联合培养博士，1995获理学博士学位。1992年破格晋升为副教授。
　　1994.4—1995.8：作为联合培养的博士生，在意大利都灵工业大学物理系从事非晶态材料的合作研究。博士论文获横山明聪奖。
　　1996—1998：吉林大学化学博士后流动站从事纳米电子学的研究工作。
　　1998年晋升为教授。
　　1996.4—1997.8：日本九州大学先端科学技术共同研究中心进行博士后研究。
　　2000—2003：中国科学院百人计划学者。
　　2004.1—现在：东北师范大学副校长。

　　获得奖项

　　1996年获横山明聪奖金；
　　1998年获长春市“十大”杰出青年提名奖；
　　1999年教育部优秀教师基金；
　　1999年入选首届吉林省杰出青年研究计划；
　　2000年获国务院政府津贴；
　　2001年获国家教育部和国家人事部共同颁发的全国模范教师荣誉称号和奖章；
　　2001年度获长春市优秀共产党员；
　　2003年获中国科学院优秀“百人计划”；
　　2005年获吉林省高级专家。

　　著作及论文

　　主要从事宽禁带半导体光电子材料与器件的研究工作。针对ZnO研究中存在的获得高质量ZnO单晶薄膜、p-型ZnO掺杂困难；非极性材料上生长极性ZnO材料存在的界面电荷失衡问题; 探究ZnO深缺陷的可见区发光机制并实现其控制；制备低维ZnO量子点材料、实现ZnO量子点阵列的自组织生长；利用低维结构的量子限域效应增强ZnO的激子发光。针对这些热点、难点和基本问题，开展了一些有鲜明特色的创新性研究工作。共在Advanced Mater., Phys. Rev.B., J.Chem.Phys., J.Phys.Chem., Appl. Phys. Lett, J. Appl. Phys等国际杂志上发表论文60余篇, SCI论文他引120余次，获国家发明专利1项。
　　在国际上首次提出了无形变sp2π-Cluster是发光中心的观点。提出了N进入sp3 网络引起配位数减少导致应力释放的重要结果；提出了N的桥作用以及sp2π-Cluster团簇及其它的各种形变决定能隙的大小。在国际上首次提出并证实了N进入a-C:H网络中引起C-H键的弱化和网络的不稳定性。主要反映在掺氮后易于引起sp3网络再构及C-H键的弱化。为进一步研究N在a-C:N:H中的作用和探索a-C:H材料在光电子器件中的应用具有重要的意义，引起了国际同行的关注和引用。这些观点和结论被国际同行学者接受和引用。我们关于氮进入sp3网络引起应力释放的物理原因及其与无形变sp2 π-Cluster发光中心的关系，为用发光方法研究高压诱导碳氮结构相变提供了理论依据。两篇论文SCI他引43次，其引用有Anal Chem., Phys. Rev.B, Appl. Phys. Lett, J. Appl. Phys., Solid State Commun., J. Phys., 等国际著名杂志，研究工作得到国际同行的认可，总体研究达到国际先进水平。
　　发明了用溅射型电子回旋共振(ECR)微波等离子体氮化技术在低温、低压下获得了高质量SiN薄膜的方法，2003年获得1项国家发明专利。针对研究和表征膜厚小于10 nm的SiO2的困难，根据纵向光学声子对P偏振红外强烈吸收的原理，建立和发展了利用P偏振红外反射吸收光谱表征超薄SiO2的方法。利用偶氮染料和电子推拉型偶氮染料掺杂聚合物薄膜，实现了可擦除光存储，在一个光斑内存五幅全息图象的创新工作。在J.Appl.Phys., Phili.Mag.B, Appl.Phys.Lett., Optics Lett., Optical Commun.,等国际SCI杂志上发表论文20余篇，SCI他引21次，其中有国际著名杂志Chem. Rev. 102，(2002), Appl. Phys. Lett, 81, 2002, J. Appl. Phys. (2002)，J. Chem. Phys.109, (1998)等杂志。
　　先后主持教育部回国人员启动基金、教育部重点科学技术项目、吉林省自然科学基金、教育部优秀教师资助项目、首届吉林省杰出青年科学研究计划、中国科学院“百人计划”项目。现主持国家自然科学基金2项，教育部跨世纪优秀人才项目，国家“十五”“863”高技术课题子课题1项。作为课题副组长参加国家自然科学重点基金1项，参加国家“863”高技术课题1项。
　　近年来共发表SCI论文80余篇，SCI论文他引200余次，获国家发明专利2项。2000年应邀在中韩关于半导体物理与器件双边国际会议上作了“热处理高能Zn离子注入SiO2材料制备ZnO量子点”的邀请报告。2003年美国材料研究学会关于Nanostructuring Materials with Energetic Beams主题学术讨论会口头报告。2003年美国材料研究学会关于New Applications for Wide-Bandgap Semiconductors主题学术讨论会口头报告。2002年在第八届全国固体薄膜会议上应邀作大会特邀报告。2003在首届全国ZnO学术会议上作大会邀请报告。2005在第二届全国ZnO学术会议上作邀请报告。

　　承担项目

　　1．中国科学院百人计划研究项目（200万）（主持）：紫外发射光电子材料与器件的研究。
　　2．国家自然科学技术基金项目（20万）（主持）：SiO2基质中ZnO量子点薄膜蓝紫色交流电致发光器件研究。
　　3．教育部跨世纪人才基金（30万）（主持）：ZnO纳米粒子表面增强多声子喇曼线在生物分子识别中的应用。
　　4．国家“863”课题（100万）（学术负责人）：ZnO激光二极管研制和紫外激射的研究。
　　5．国家“十五”“863”子项目（主持）（30万）：基于纳米生物探针的免疫层析检测技术。
　　6．中国科学院重大项目（150万）（学术负责人）：量子点荧光生物光纤探针基础研究。

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