2014考研江南大学半导体物理真题（回忆版）

题型 填空（30）名词解释（30）证明画画（90） 

一、大题:

1.画MOSEFT剖面图，输出曲线，转移曲线，分析工作原理 

2.画pnp的共基组态 共射组态 输出曲线并标出饱和 截止 放大区 

3.画出mos的三种能态图（积累，耗尽，反型 ）n p 都要画 

4.从能带理论说明 金属 半导体 绝缘体导电的不同 

5.证明爱因斯坦方程 

6，证明金半（n）接触加反向偏压下，杂质的情况 (式子不好打) 

二、名词解释 

1.霍尔 

2.Early 

3.简并半导体

4.施主受主

5. 欧姆接触

三、填空 

1.（）反应在电场下运动难易的物理量，()反应在浓度梯度下运动难易的物理量，它们的关系是（ ）

2.散射包括（）（）。

3.ni=n0p0,在（）状态下成立，nopo的乘积与杂质浓度是否有关（），与温度是否有关（）。

4.电子占据的半满带能带最高的叫（），没被电子占据的能带能量最低的是（），这两个能带之间没有啥啥的区域叫（）

5. （暂缺）

6. （暂缺）