中科院微电子研究所微波器件与集成电路研究室介绍

　　微波器件与集成电路研究室主要从事新型微波器件与集成电路技术研发，是我国化合物半导体器件和电路研究的开创者之一。研究室下设4英寸化合物半导体工艺线、微波单片集成电路（MMIC）设计和测试、超高频大功率微波模块与系统集成、新型太阳能电池制造技术、新型纳米集成电路工艺等实验室和科研平台。

　　研究室承担了多项国家科技重大专项、“863”计划、“973”计划、国家自然科学基金和中国科学院等项目和任务。在微波毫米波氮化镓功率器件和电路、高端毫米波磷化铟器件和电路、砷化镓HBT超高速数模混合电路、新一代太阳能电池技术、石墨烯电子器件、高迁移率异质沟道工程等方面取得了一批显著的创新成果。

学科方向

　　GaAs器件与电路研究（HEMT, HBT）

　　基于国内首条4英寸化合物研制工艺线开展GaAs器件工艺、新结构器件、工艺和器件建模、电路研制等研究，成功地开发出完备的GaAs HEMT和HBT整套工艺流程，并研制成功fT>872GHz的0.1μm T型栅PHEMT、fT>92GHz的2μm HBT、增强型HEMT等器件和2.5GHz低噪声放大器、2.5-10GHz跨阻放大器、10Gb/s GaAs PHEMT光调制器驱动电路及10Gb/s InGaP/GaAs HBT光调制器驱动器等电路。

　　毫米波InP基器件与电路研究

　　主要从事毫米波超低噪声InP 基HEMT器件研究、特殊结构InP 基PHEMT和HBT器件研发、InP基MMIC设计技术与制作工艺研究，现已建立了纳米栅InP基HEMT工艺流程。

　　宽禁带化合物半导体（GaN）器件与电路研究

　　氮化镓（GaN）作为第三代半导体材料体系的代表，由于其优良高温及高频特性已成为目前国际上研究的热点。近年来与中科院半导体所和物理所合作开展GaN材料、器件、电路和理论等方面研究----采用国产材料研制出国内领先的AlGaN/ GaN HEMT器件：Imax = 0.92A/mm(Vgs=1V)，gm-extrinsic= 184mS/mm fT = 18.76GHz fmax>25GHz，大尺寸的GaN功率器件：Imax = 1.42A(Vgs=0.5V) Wgate = 1.6mm。目前正在开展C-X波段GaN 功率器件和MMIC研究。

　　微波单片集成电路（MMIC）设计和测试技术

　　主要开展GaAs基微波毫米波低噪声放大电路、功率放大电路、宽频带放大电路、激光调制驱动电路等多种单片集成电路（MMIC）的设计与测试。

　　新一代模块技术研究

　　采用自主开发的无源耦合和准无源耦合技术实现光电模块的组装，目前正致力于新一代光电发射模块、微波混合集成电路模块研究。