2014年华中科技大学光学与电子学院考研复试科目与范围

2014年硕士研究生复试科目考试范围《单片机原理》考试范围参考书：胡乾斌，《单片微

作者

佚名

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2014-03-05

2014年硕士研究生复试科目考试范围

《单片机原理》考试范围

参考书：

胡乾斌，《单片微型计算机原理与应用》，2006年，华中科技大学

考试范围：

第一章：概述1.1—1.4，1.6

重点：计算机中的数和编码

第二章：单片机的内部结构

重点：2.2CPU

2.5MCS-51的存储器结构

第三章：指令系统

重点：3.2寻址方式

3.3.1数据传送

3.3.2算术运算

3.3.4控制转移

第四章：汇编语言程序设计

重点：4.2.3分支程序

4.2.4循环程序

第五章：存储器5.1，5.4，5.5

重点：存储器的扩展

第六章：中断系统6.16.2

重点：基本概念和应用

第八章：定时器/计数器

8.1MCS-51的定时器

第九章中的9.1节

《光电技术》考试范围

参考书：

叶嘉雄《光电系统与信号处理》，1997年，科学出版社

考试范围：以华中科技大学光电子学院教学网站中《光电探测与信号处理》课件为主，2-5章，重点复习第二章第三章内容。提示：以课件中复习总结为纲，结合教材和课件进行复习

教学课件网址：http://jpkc.hust.edu.cn:1128/course/Logic_05/index.html?courseId=fa4d8bce33605b1901336d71ed530049，其中教学课件和测试练习共参考

《激光技术》考试范围

参考书：《激光技术》第二版，蓝信钜等编，科学出版社，2005.1

考试范围：第一章激光调制与偏转技术

第二章调Q(Q开关技术)

第四章激光放大技术

研究生复试《电子材料物理》考试大纲

一、考试内容

考试内容包括：无机材料的晶体结构；材料的电导性质；材料的介电性质；材料的磁学性质；材料的光学性质；材料中的缺陷、扩散与烧结、相图与相变等。

二、评价目标

本课程考试的目的是考察考生对电子材料的基本概念、基本原理和基本方法的掌握程度和利用基础知识解决电子材料领域相关问题的能力。

三、考试形式与试卷结构

1答卷方式：闭卷，笔试。

2答题时间：120分钟。

3各部分内容的考查比例：

结构与缺陷10-20%；电导性质20-35%；介电性质20-30%；

磁学性质20-30%；光学性质10~20%；相图与相变10-15%。

4题型：比例

名词解释、选择题、简答题、计算题、论述题等

5参考书目：

吕文中汪小红《电子材料物理》，电子工业出版社

四、考查要点

1无机材料的晶体结构与缺陷扩散；

无机晶体的结构特征、密堆积、配位数、鲍林规则、缺陷种类、缺陷扩散机制、固相烧结、液相烧结。

材料的电导性质

电子电导、离子电导的概念、特点、影响因素及计算，晶界电导与p-n结电导

3材料的介电性质

材料的极化类型与特点，克劳修斯-莫索缔方程，德拜方程、自发极化、电滞回线、铁电体、压电效应与热释电效应。

4材料的磁学性质；

磁性的起源，磁性的分类与特点，磁矩、磁畴、磁滞回线，硬磁材料，软磁材料

5材料的光学性质；

半导体材料的光吸收，光生伏特效应，半导体的电致发光，半导体激光基础，电介质的电光效应、弹光效应、非线性光学效应的概念。

6相图及相变

相律、一元相图、二元相图、一级相变与二级相变，典型的铁电相变，DPT相变

微电子器件与IC设计复试大纲

教材：《微电子器件与IC设计》，刘刚等编，第一版

考试内容：

第三章双极晶体管（1）

第四章双极晶体管（2）4.1–4.3节

第五章结型场效应晶体管基本结构和原理

第六章MOSFET

其中，第三章和第六章是重点。

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