2016年哈尔滨工业大学085209集成电路工程考研大纲
2016年硕士研究生入学考试大纲考试科目名称:半导体物理考试科目代码:[806]一、考试要求:全面系统地掌握半导体物理的基本概念、基本原理和物理
据哈尔滨工业大学研究生院消息,2016年哈尔滨工业大学085209集成电路工程考研大纲已发布,详情如下:
2016年硕士研究生入学考试大纲
考试科目名称:半导体物理考试科目代码:[806]
一、考试要求:
全面系统地掌握半导体物理的基本概念、基本原理和物理过程,并能够运用理论对实际问题进行分析和计算。
二、考试内容:
1)能带论
a:半导体电子状态和能带
b:半导体电子的运动
c:本征半导体的导电机构
d:硅和锗的能带结构
2)杂质半导体理论
a:硅和锗晶体中的杂质能级
b:缺陷、位错能级
3)载流子的统计分布
a:状态密度与载流子的统计分布
b:本征与杂质半导体的载流子浓度
c:一般情况下载流子统计分布
d:简并半导体
4)半导体的导电性
a:载流子的漂移运动与散射运动
b:迁移率、电阻率与杂质浓度和温度的关系
5)非平衡载流子
a:非平衡载流子的注入、复合与寿命
b:准费米能级
c:复合理论
d:陷阱效应
e:电流密度方程
f:连续性方程
6)p-n结理论
a:p-n结及其能带图
b:p-n结电流电压特性
7)金属-半导体接触理论
a:金-半接触、能带及整流理论
b:欧姆接触
8)半导体表面理论
a:表面态及表面电场效应
b:MIS结构电容-电压特性
c:硅-二氧化硅系统的性质
d:表面电场对p-n结特性的影响
9)半导体光电效应
a:半导体的光学常数和光吸收
b:半导体的光电导效应
c:半导体的光生伏特效应
d:半导体发光和半导体激光
三、试卷结构:
a)考试时间:180分钟,满分:150分
b)题型结构
a:概念简答题(30分)
b:论述题(60分)
c:理论推导及应用计算题(60分)
四、参考书目
1.刘恩科,半导体物理学(第四版),国防工业出版社
2.刘晓为等,固态电子论,电子工业出版社
2015年硕士研究生入学考试大纲
考试科目名称:半导体物理考试科目代码:[806]
一、考试要求:
全面系统地掌握半导体物理的基本概念、基本原理和物理过程,并能够运用理论对实际问题进行分析和计算。
二、考试内容:
1)能带论
a:半导体电子状态和能带
b:半导体电子的运动
c:本征半导体的导电机构
d:硅和锗的能带结构
2)杂质半导体理论
a:硅和锗晶体中的杂质能级
b:缺陷、位错能级
3)载流子的统计分布
a:状态密度与载流子的统计分布
b:本征与杂质半导体的载流子浓度
c:一般情况下载流子统计分布
d:简并半导体
4)半导体的导电性
a:载流子的漂移运动与散射运动
b:迁移率、电阻率与杂质浓度和温度的关系
5)非平衡载流子
a:非平衡载流子的注入、复合与寿命
b:准费米能级
c:复合理论
d:陷阱效应
e:电流密度方程
f:连续性方程
6)p-n结理论
a:p-n结及其能带图
b:p-n结电流电压特性
7)金属-半导体接触理论
a:金-半接触、能带及整流理论
b:欧姆接触
8)半导体表面理论
a:表面态及表面电场效应
b:MIS结构电容-电压特性
c:硅-二氧化硅系统的性质
d:表面电场对p-n结特性的影响
9)半导体光电效应
a:半导体的光学常数和光吸收
b:半导体的光电导效应
c:半导体的光生伏特效应
d:半导体发光和半导体激光
三、试卷结构:
a)考试时间:180分钟,满分:150分
b)题型结构
a:概念简答题(30分)
b:论述题(60分)
c:理论推导及应用计算题(60分)
四、参考书目
1.刘恩科,半导体物理学(第四版),国防工业出版社
2.刘晓为等,固态电子论,电子工业出版社
2015年硕士研究生入学考试大纲
考试科目名称:半导体物理考试科目代码:[806]
一、考试要求:
全面系统地掌握半导体物理的基本概念、基本原理和物理过程,并能够运用理论对实际问题进行分析和计算。
二、考试内容:
1)能带论
a:半导体电子状态和能带
b:半导体电子的运动
c:本征半导体的导电机构
d:硅和锗的能带结构
2)杂质半导体理论
a:硅和锗晶体中的杂质能级
b:缺陷、位错能级
3)载流子的统计分布
a:状态密度与载流子的统计分布
b:本征与杂质半导体的载流子浓度
c:一般情况下载流子统计分布
d:简并半导体
4)半导体的导电性
a:载流子的漂移运动与散射运动
b:迁移率、电阻率与杂质浓度和温度的关系
5)非平衡载流子
a:非平衡载流子的注入、复合与寿命
b:准费米能级
c:复合理论
d:陷阱效应
e:电流密度方程
f:连续性方程
6)p-n结理论
a:p-n结及其能带图
b:p-n结电流电压特性
7)金属-半导体接触理论
a:金-半接触、能带及整流理论
b:欧姆接触
8)半导体表面理论
a:表面态及表面电场效应
b:MIS结构电容-电压特性
c:硅-二氧化硅系统的性质
d:表面电场对p-n结特性的影响
9)半导体光电效应
a:半导体的光学常数和光吸收
b:半导体的光电导效应
c:半导体的光生伏特效应
d:半导体发光和半导体激光
三、试卷结构:
a)考试时间:180分钟,满分:150分
b)题型结构
a:概念简答题(30分)
b:论述题(60分)
c:理论推导及应用计算题(60分)
四、参考书目
1.刘恩科,半导体物理学(第四版),国防工业出版社
2.刘晓为等,固态电子论,电子工业出版社
(实习编辑:杨颖雄)
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