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2016年哈尔滨工业大学085209集成电路工程考研大纲

  据哈尔滨工业大学研究生院消息,2016年哈尔滨工业大学085209集成电路工程考研大纲已发布,详情如下:
  2016年硕士研究生入学考试大纲
  考试科目名称:半导体物理考试科目代码:[806]
  一、考试要求:

  全面系统地掌握半导体物理的基本概念、基本原理和物理过程,并能够运用理论对实际问题进行分析和计算。

  二、考试内容:
  1)能带论

  a:半导体电子状态和能带
  b:半导体电子的运动
  c:本征半导体的导电机构
  d:硅和锗的能带结构

  2)杂质半导体理论
  a:硅和锗晶体中的杂质能级
  b:缺陷、位错能级

  3)载流子的统计分布
  a:状态密度与载流子的统计分布
  b:本征与杂质半导体的载流子浓度
  c:一般情况下载流子统计分布
  d:简并半导体

  4)半导体的导电性
  a:载流子的漂移运动与散射运动
  b:迁移率、电阻率与杂质浓度和温度的关系

  5)非平衡载流子
  a:非平衡载流子的注入、复合与寿命
  b:准费米能级
  c:复合理论
  d:陷阱效应
  e:电流密度方程
  f:连续性方程

  6)p-n结理论
  a:p-n结及其能带图
  b:p-n结电流电压特性


  7)金属-半导体接触理论
  a:金-半接触、能带及整流理论
  b:欧姆接触

  8)半导体表面理论
  a:表面态及表面电场效应
  b:MIS结构电容-电压特性
  c:硅-二氧化硅系统的性质
  d:表面电场对p-n结特性的影响

  9)半导体光电效应
  a:半导体的光学常数和光吸收
  b:半导体的光电导效应
  c:半导体的光生伏特效应
  d:半导体发光和半导体激光

  三、试卷结构:
  a)考试时间:180分钟,满分:150分
  b)题型结构
  a:概念简答题(30分)
  b:论述题(60分)
  c:理论推导及应用计算题(60分)

  四、参考书目
  1.刘恩科,半导体物理学(第四版),国防工业出版社
  2.刘晓为等,固态电子论,电子工业出版社

  2015年硕士研究生入学考试大纲
  考试科目名称:半导体物理考试科目代码:[806]
  一、考试要求:
  全面系统地掌握半导体物理的基本概念、基本原理和物理过程,并能够运用理论对实际问题进行分析和计算。
  二、考试内容:
  1)能带论
  a:半导体电子状态和能带
  b:半导体电子的运动
  c:本征半导体的导电机构
  d:硅和锗的能带结构
  2)杂质半导体理论
  a:硅和锗晶体中的杂质能级
  b:缺陷、位错能级
  3)载流子的统计分布
  a:状态密度与载流子的统计分布
  b:本征与杂质半导体的载流子浓度
  c:一般情况下载流子统计分布
  d:简并半导体
  4)半导体的导电性
  a:载流子的漂移运动与散射运动
  b:迁移率、电阻率与杂质浓度和温度的关系
  5)非平衡载流子
  a:非平衡载流子的注入、复合与寿命
  b:准费米能级
  c:复合理论
  d:陷阱效应
  e:电流密度方程
  f:连续性方程
  6)p-n结理论
  a:p-n结及其能带图
  b:p-n结电流电压特性
  7)金属-半导体接触理论
  a:金-半接触、能带及整流理论
  b:欧姆接触
  8)半导体表面理论
  a:表面态及表面电场效应
  b:MIS结构电容-电压特性
  c:硅-二氧化硅系统的性质
  d:表面电场对p-n结特性的影响
  9)半导体光电效应
  a:半导体的光学常数和光吸收
  b:半导体的光电导效应
  c:半导体的光生伏特效应
  d:半导体发光和半导体激光
  三、试卷结构:
  a)考试时间:180分钟,满分:150分
  b)题型结构
  a:概念简答题(30分)
  b:论述题(60分)
  c:理论推导及应用计算题(60分)
  四、参考书目
  1.刘恩科,半导体物理学(第四版),国防工业出版社
  2.刘晓为等,固态电子论,电子工业出版社

  2015年硕士研究生入学考试大纲
  考试科目名称:半导体物理考试科目代码:[806]
  一、考试要求:
  全面系统地掌握半导体物理的基本概念、基本原理和物理过程,并能够运用理论对实际问题进行分析和计算。
  二、考试内容:
  1)能带论
  a:半导体电子状态和能带
  b:半导体电子的运动
  c:本征半导体的导电机构
  d:硅和锗的能带结构
  2)杂质半导体理论
  a:硅和锗晶体中的杂质能级
  b:缺陷、位错能级
  3)载流子的统计分布
  a:状态密度与载流子的统计分布
  b:本征与杂质半导体的载流子浓度
  c:一般情况下载流子统计分布
  d:简并半导体
  4)半导体的导电性
  a:载流子的漂移运动与散射运动
  b:迁移率、电阻率与杂质浓度和温度的关系
  5)非平衡载流子
  a:非平衡载流子的注入、复合与寿命
  b:准费米能级
  c:复合理论
  d:陷阱效应
  e:电流密度方程
  f:连续性方程
  6)p-n结理论
  a:p-n结及其能带图
  b:p-n结电流电压特性
  7)金属-半导体接触理论
  a:金-半接触、能带及整流理论
  b:欧姆接触
  8)半导体表面理论
  a:表面态及表面电场效应
  b:MIS结构电容-电压特性
  c:硅-二氧化硅系统的性质
  d:表面电场对p-n结特性的影响
  9)半导体光电效应
  a:半导体的光学常数和光吸收
  b:半导体的光电导效应
  c:半导体的光生伏特效应
  d:半导体发光和半导体激光
  三、试卷结构:
  a)考试时间:180分钟,满分:150分
  b)题型结构
  a:概念简答题(30分)
  b:论述题(60分)
  c:理论推导及应用计算题(60分)
  四、参考书目
  1.刘恩科,半导体物理学(第四版),国防工业出版社
  2.刘晓为等,固态电子论,电子工业出版社

  (实习编辑:杨颖雄)

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