2013年合肥工业大学半导体物理考研复习经验谈

　　过去的一年从论坛受益良多，今日以此拙文回馈论坛，倘若学弟学妹们能从中汲取一二，也不枉晚上这一个多小时的奋笔疾书。
　　我的初试专业课可以选半导体物理或者数电，我记得当时并没有在专业课的选择上有过什么“艰难的决定”，好像一开始就决定选的半导体物理。在大三上学期看了一段半导体物理后曾经有过动摇，因为确实半导体物理的一些概念和公式很难理解，故考虑过是否重新选择数电，但是后来在工大学长的建议下我依然坚持选择了半导体物理，学长的建议很简单“半导体物理虽然学起来难但是好拿分”，这就对了，考试就是要拿高分的，学起来简单的又有什么用，难道就是为了减轻复习过程中的痛苦和愤慨？当然不是这样！
　　事实也确实如此，今年数电的难度要明显难于半导体物理，主要是题量大、计算烦。但是半导体物理则相对容易，我估算大概有90分到100分这样完全是在以前的历年真题中出现过的或者类似的。最终半导体物理我拿下139分。

　　下面主要说一说工大半导体物理复习的一些心得，其他公共课学弟学妹们完全可以找你身边的学长去讨教经验，所以我就不说了公共课方面的了。
　　半导体物理从头至尾我认真的看了4遍，每一次感觉都不一样。
　　在暑假开始之前看完第一遍，这一遍完全是没有重点地去看，力求每个地方都能懂一些，但是结果就是每次翻开课本，都有一种想吐的感觉，因为一些地方实在太深奥了，书又讲的不是很明白，看得非常的难受。
　　第二遍在暑假期间开始，这次在看之前我把工大10年的半导体物理真题翻看了一遍。因为有了第一遍的基础，我大概寻找到了一些命题规律，比如PN结能带图考到过N次，课本第一章课后习题第一题计算题考到过N次等等，看完真题之后我稍微松了一口气，因为总结的规律让我知道工大的半导体物理考试范围是一定的，在第二次看书的时候不能再盲目的对课本“全盘扫描”了。

　　在刚开始看真题的时候我出现过如下困惑：
　　（1）在2010年（包括2010年）之前的真题是叫做“半导体物理及器件”或者“半导体物理及器件物理”，这些年的题里面我有很多在刘恩科的半导体物理教材上找不到。其实，2010年之前工大的半导体物理是既考物理又考器件，2013年的招生公告上写明考的是半导体物理，所以那些器件方面的，例如MOSFET、跨导、电导、JFET、耗尽层宽度、最大电场强度等等问题完全可以不用看，一眼都别看，因为初试不可能考到，但是这些题千万别扔，因为复试中的笔试就有半导体器件的这个选项，如果你选了，那这些题就非常重要了。
　　（2）真题没有答案怎么办？确实，在这个世界上你绝不可能看到工大半导体物理的官方答案，因为那些答案在老师们批改完试卷后会被立刻销毁。我是从一个学长那里买的题，“附赠”有他做的“答案”，看完第三遍准备开始自己做真题时这些所谓的“答案”就被我扔了，因为它几乎完全没有任何参考价值，错误连篇不说，有些根本驴唇不对马嘴。所以答案就需要自己去整理。我最终把真题按教材章节顺序整理在自己的笔记本上，考前一个星期开始狂背。

　　第三遍我是在9月中旬开始的，那时是边看书边做真题，这一遍是受益颇多的一遍，因为通过解答真题，我完全对工大的半导体物理考试建立起直观的概念，这一遍之后哪些内容该会、哪些需要了解、哪些根本不用看就都知道了，例如计算题只会考课后题，绝不可能会有一个老师自创的题出现在初试中，而且都是简单的那种，例如2013年考了一题电子从导带跃迁到价带所需时间的那道课后习题，如果你认真看了课本，这题15分完全就是送给你的（这道计算题在之前10年从来没有出现过，2013年第一次考）。其实，在这一遍我还把一些历年没有考到的概念和可能的简答题也整理在笔记本上，这几乎涵盖了刘恩科这本书上所有可能的考点，例如：我总结了复合中心和陷阱中心的区别，（之前10年从来没有出现过这题）2013年就考到了这题，记得这题是15分，我应该可以拿到12+的分数吧，这种问题如果平时不注意，考试的时候是很难拿分的。
　　第四遍，就是完全以我的笔记本为重点，开始复习，这是在考前一个月开始的，每天识记概念，一遍又一遍的推倒公式，把1到5章的课后习题再做一遍。经过这些过程其实已经对半导体物理入门了。
　　这基本上就是我复习半导体物理的过程，但愿能对后人的复习有所帮助。

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