杭州电子科技大学硕士点介绍:电路与系统
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电路与系统 本学科为浙江省重中之重学科,拥有省部共建射频电路与系统教育部重点实验室、浙江省大
电路与系统
本学科为浙江省重中之重学科,拥有省部共建射频电路与系统教育部重点实验室、浙江省大规模集成电路设计、信息产业部SOC设计等省部级重点实验室,浙江省集成电路设计科技创新平台单位。
本学科主要研究方向为集成电路设计与系统应用、EDA技术、磁电子器件、智能识别与物联网应用等。研究成果曾获得国家科技进步一、二等奖、电子部科技进步一、二等奖、国家科技攻关重大成果奖等多项国家与省部级奖励,其中作为主要研制单位之一参加的我国第一个具有自主知识产权的大规模集成电路EDA工具“PANDA系统”获1993年国家科技进步一等奖。近年来,本学科方向业已形成了“集成电路设计与EDA技术研究相结合,数字、模拟、射频集成电路设计相融合,芯片设计与系统开发为一体”的技术特色,尤其在射频集成电路和EDA技术研究方面有所突破,形成了比较明显的学科优势。
2005年以来,本学科方向承担国家“973”计划1项,国家科技重大专项子课题2项,国家自然科学基金10项、国防项目十余项及一批省部级纵向课题和横向项目,研究成果也得到了广泛应用。其中在EDA技术研究方面,××IC建模建库及工具开发技术在相关研究所工艺线获得应用,其具有完全自主知识产权的HBT、HEMT模型精度经鉴定达到国际先进水平;与中芯国际等国内多条先进工艺线开展了不同工艺建模建库实质性合作,已具备了精度到达毫米波段的微电子元器件自主知识产权模型和模型库开发能力,部分成果获得了浙江省科技进步二等奖;超大规模集成电路电源/地网分析和模块版图综合EDA工具已在日本NEC、Elpida等IC公司实际用于芯片设计。在IC设计及应用技术研究方面,开发研制了多种具有自主知识产权的GaAs FET单片功率放大器、微波宽带放大器、低噪声放大器、混频器等核心电路,技术指标达到同期国际先进水平;利用首次提出的缓变沟道GaN HEMT和高Q的无源器件研制的工作于X波段的VCO电路,在同类电路中达到国际最好水平;由本方向教师作为技术总负责研制的包括数字多媒体SOC、消费类电子和工业控制ASIC等多款芯片已成功实现量产销售,一些芯片成功实现了进口替代;在国际上率先将SIW技术用于背腔天线设计,实现了一系列具有国际领先水平的低成本低轮廓新型集成化高增益天线;开发的RF ID系统已在煤矿安全、物品防伪防盗等多个领域得到应用。部分成果在IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques、IEEE Electron Device Letters、电子学报等国内外权威刊物上发表。目前,学科核心团队已入选为国防创新团队。
本学科方向已有十二年联合博士生培养历史,培养学生中有获国家级科技进步一、二等奖、全军科技进步奖等省部以上奖项多人,研究生教育成果曾获国家教学成果二等奖。
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